越来越多的高压电子设备（例如，在数据中心和EV中）重新定义了EES中需要的内容，FET。例如，高功率应用为具有尽可能低的FET创造了巨大需求DS（开）用作负载开关。
降低R.DS（开）有助于以IR损失的形式最大限度地减少功耗 - 这一事实对宽带隙半导体的激烈感兴趣。
为大功率和高频应用探索了宽带隙半导体。beplay体育下载不了使用的图像礼貌德州仪器
尽管如此，这些问题不会在这里停留。高压电子产品为FET提供了另一个主要挑战作为负载开关：反向电流保护。Incorpated的二极管正在寻求解决最新产品的关注：一种P沟道动力FET，设计了“真正的反向电流阻塞”。
高压电子设备中的负载开关
在高压应用中，设计人员必须找到一种方法以以任何方式节省电力。实现这一方式之一是将负载开关实现到电路中。
负载开关仅仅是根据需要连接或断开负载的手段，确保在不使用时不会通过负载消耗电源。这通常在由外部逻辑信号控制的电压轨和负载之间用一个或两个MOSFET实现。
负载开关电路的示例。使用的图像礼貌在半导体上
在上面的示例电路中，PMOS负载开关被R1偏置，使得当使能信号低时，PMOS关闭，意味着V.在和V.出去彼此隔离。当使能信号变为高电平时，PMOS的栅极被驱动到地面，有效地将负载连接在V.出去在V的电压轨在。
高压挑战
通过了解这些电路的样子，我们可以了解高压应用程序如何创造额外的挑战。
参考示例电路，随着电压（和随后的电流）增加，相同的通过FET将消耗更多的功率DS（开）。这种电力挑战使大型投资能够进入新一代具有较低通道阻力的FET，以降低这些应用中的功耗。
通过交换机应用中的反向电流机制。使用的图像礼貌Rohm Semiconductor
高压应用中的另一个挑战是反向电流。由于MOSFET的物理布局，在设备的漏极和源极端子之间存在寄生二极管。因此，如果v出去曾经大于v在，这种寄生二极管转发偏置并导致来自V的巨大电流出去到V.在被称为反向电流。
由于更高的电压导致更高的反向电流，反向电流已成为这些应用中的更大关注，这可能证明电气系统灾难。
二极管合并了真正反向电流阻塞的愿景
为了解决这一问题，该问题的二极管本周已发布新产品：P沟道FET专门用于低功耗通过开关应用。
新的FET，称为AP22916，特点减少了DS（开）5 V的60毫升，静态电流为0.5μA，以及称为“真正反向电流阻塞”（TRCB）的功能。
AP22916的功能框图。使用的图像礼貌二极管合并
根据东芝，TRCB与传统反向电流阻塞的不同因为TRCB阻止了启用或禁用负载开关时反向电流的流动，而传统技术仅在禁用负载开关时保护。
结合的二极管索赔本发明的新开关通过内部反向电压比较器在其新开关中实现，比较V在和V.出去始终并允许“真实”反向电流阻塞。
在便携式应用程序中找到一个地方
用r.DS（开）低于以前的解决方案和TRCB内置，其中包含二极管的新产品可能是在高功率场中设计的工程师的有用解决方案。
AP22916的典型应用电路。使用的图像礼貌二极管合并
包装在芯片尺度房屋（0.78 mm x 0.78 mm x 0.45 mm）中，AP22916似乎在移动设备，可穿戴设备和GPS设备等方面提供高功率密度。
特色图片使用礼貌二极管合并
