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电压比较器

Misieek

线程启动

Misieek

2021年3月17日加入
24
你好家伙!

我想建立某种电压比较器,将P MOSFET晶体管打开(传导),当电压下降到阈值电压,由齐纳二极管给出。我想实现小迟滞,和快速响应。电源电压为12V。

我想出了这样的办法…但迟滞在0.5V左右,太大了,有时mosfet会升温。
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我可以改进什么?:)
Misieek

线程启动

Misieek

2021年3月17日加入
24
为什么不用一个真正的比较器呢?
嗯,我想为了比较那个电压,我必须给比较器提供比我实际想测量的电压高的电压。这将迫使我使用升压转换器。这会导致简化,但如果没有更简单的解决方案,我会这么做。
AlbertHall

AlbertHall

2014年6月4日加入
11173年
你的电路有一个12V的电源和一个15V的齐纳。齐纳将永远不会引导,所以MOSFET将总是打开。
我困惑。这个电路应该做什么?
Misieek

线程启动

Misieek

2021年3月17日加入
24
你的电路有一个12V的电源和一个15V的齐纳。齐纳将永远不会引导,所以MOSFET将总是打开。
我困惑。这个电路应该做什么?
是啊,你说得对,这很让人困惑。我想用这个电路作为汽车发电机的稳压器。当mosfet传导,电流流过转子,增加汽车安装电压到15V。当电压达到这个值时,mosfet切断电流,所以电压下降。这一过程不断发生,使汽车电压保持在15V左右。
Misieek

线程启动

Misieek

2021年3月17日加入
24
不,你可以把输入电压分成两部分,然后比较一个更低的电压。例如,两个相等的电阻将电压分成两半,然后比较7.5V。

鲍勃
伟大的想法@BobTPH!我使用了LM358,它比较电压比较好。还有一件事要做。我不知道如何驱动mosfet,因为输出电压15V对IRF4905的门太大。

我可以用4V齐纳二极管和100k电阻再除以一次吗?对LM358来说输出电流是不是太大了?
AnalogKid

AnalogKid

2013年8月1日加入
9115年
没有迟滞设计到电路后#1。正因为如此,MOSFET没有“啪”开和关;它会经过一个过渡区,在完全关闭和完全增强(最低Rdson)之间,缓慢到足以加热。此外,由于电路是一个开环线性放大器,在FET部分导电时,Vcc有一个值,造成最大的功率损耗,并且在设计中没有任何东西可以防止电路在那个工作点停留足够长的时间,使Q?过热。一个来自Q的大值正反馈电阻?R ?会增加少量滞后,应降低Q?功耗。

正义与发展党

ps.引用指示器只有在它们是唯一的时候才能工作。
crutschow

crutschow

2008年3月14日加入
26890年
我将为比较器使用一个稳定的参考电压,例如TL431,而不是齐纳。
15V齐纳电池的正温度约为10mV/°C,而铅酸电池的负温度系数约为-3mV/°C,或12V电池的-18mV/°C。

为了最精确的充电,您可以添加一些结二极管与TL431串联,以提供所需的-18mV/°C变化的电池充电电压与环境温度。
如果使用来自TL431的2.5V作为参考,那么两个与该参考串联的二极管(给出一个大约3.9V的参考电压)应该可以提供相当好的补偿(大约-15mv/°C)。
二极管应该打开或靠近电池,这样它们就能看到与电池相同的温度。
Misieek

线程启动

Misieek

2021年3月17日加入
24
我将为比较器使用一个稳定的参考电压,例如TL431,而不是齐纳。
好主意,谢谢。我将在最后一块板上使用TL431。

但现在……我做了一个这样的东西。设置为15V。
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它工作得很好,0.1V迟滞,这是伟大的,但只有1k电阻负载。当我连接5W灯泡时,滞后开始变大,大约0.6V。可能的原因是什么?
AnalogKid

AnalogKid

2013年8月1日加入
9115年
检查358的输出电压范围。Q1可能没有完全关闭。尝试改变R4到4.7K和增加另一个4.7K之间的底部R4和引脚7。

正义与发展党
AnalogKid

AnalogKid

2013年8月1日加入
9115年
它将运放最大输出电压与Vcc之间的电压差区分开来。这使得Vgs在关断状态下低于FET的阈值电压。

例如:Vcc = 16v。FET最小阈值电压为- 2v或14v,而LM358最小最大输出电压为Vcc - 4v或12v。这足以唤醒FET。对于2:1的分压器,在漏极电流小于1ma的情况下,最坏情况的运放输出电压等于最坏情况的场效应晶体管阈值电压。

正义与发展党
最后的编辑:
crutschow

crutschow

2008年3月14日加入
26890年
比较器如LM339或LM393可能工作得更好,因为他们的输出是开路集电极,所以输出电阻可以拉上电压等于电源电压,并完全关闭P-MOSFET。

Ian0

2020年8月7日加入
1738年
好主意,谢谢。我将在最后一块板上使用TL431。

但现在……我做了一个这样的东西。设置为15V。
查看附件233111
它工作得很好,0.1V迟滞,这是伟大的,但只有1k电阻负载。当我连接5W灯泡时,滞后开始变大,大约0.6V。可能的原因是什么?
使用参考,如LM4040,你永远不会得到齐纳足够准确。齐纳将只准确在5mA电流,你的有<1mA。参考IC将保持精确到60uA。
小心使用LM358切换p通道MOSFET,其输出仅保证到达Vcc-2,这意味着它可能无法关闭一些低vgs(第th) MOSFET。LM393可能是一个更好的选择,或者是一个带有推拉输出的比较器。(编辑),@crutschow刚刚说过的话
然后添加一个高值电阻从引脚7到引脚5,给一个已知的和可重复的迟滞量。
最后的编辑:
Misieek

线程启动

Misieek

2021年3月17日加入
24
当我连接5W灯泡时,滞后开始变大,大约0.6V。
结果,那些中国的低质量电缆有0.6V的下降,只有500mA负载!有了这个修正,它工作得很好。

就像我之前说的,我将使用TL431作为参考电压,这将是可调电位器。更重要的是,我同意你们的观点,IRL4905的Vgs从-2V到-4V,这意味着LM393会更可靠。当使用LM393时,你推荐R4 (10k??)的值是多少?

最后,我还想确保MOSFET门,也从电压尖峰LM393,这是创建时,曲柄汽车。我该怎么做呢?一些压敏电阻,或齐纳二极管+20V?