你好所有的,

我试图获得使用滞后的比较器。500mV是VLTH 2V和VHTH 2V5之间的目标。

谁能帮我处理迟滞部分，并解释附件中的LTSpice模拟。

这些是您需要的解释：

1.https://www.ti.com/lit/ug/tidu020a/tidu020a.pdf(推荐)
2.https://microchipdeveloper.com/asp0107:comparators-hysteresis（简短解释）

嗨,西班牙,
查看对电路的这些更改。
注意您的V1具有零输出阻抗，因此Hystersis如何工作。
E

更新：
使v1 = 1.85V

当您尝试使用比较器的懦弱输出驱动MOSFET时，您将大大惊讶。提示：它可以沉入比它源更多的电流。这意味着痛苦地慢开启和可能致命的过热。

“50mA”是比较器最大值的标准。

当您尝试使用比较器的懦弱输出驱动MOSFET时，您将大大惊讶。提示：它可以沉入比它源更多的电流。这意味着痛苦地慢开启和可能致命的过热。

那么它会是mosfet之前的mosfet驱动程序吗?或者有比较器可以驱动mosfet在5v?我有三个比较器比较电压从一个超级电容和打开mosfet电压低于阈值和停止在2.5。最初我打算用这mosfet。

通常不建议使用比较器来驱动MOS FET。比较器和运算放大器不是相同的。各种模型也具有不同的结构，内部并不总是适合于驱动MOSFET。比较器也将在开始时有尖峰，这将是一个问题。您需要为晶体管回答的问题是：
1.您需要完全启动晶体管的电压是多少。
2.您需要全新启动晶体管。
3.你需要用什么频率来操作晶体管?
4.你的负担是什么。负载是否会通过该比较器/晶体管电路进行电动和功能。我需要一个驱动程序来为MOSFET供电。

使用比较器不是不可能的，但它可能没有你期望的那么好。

你可以检查一下这些驱动程序。在比较器的输出端，在晶体管之前，必须有一个驱动器。

这为您提供驾驶MOSFET的基本解释。

这教程显示由比较器驱动的MOSFET：

这东芝的教程很好。

编辑:
你所选择的晶体管即使在栅极的“1V”电压下也能工作。

这取决于。一些比较器，如LM393，具有开放的收集器输出，依靠上拉电阻转动MOSFET。这可能是你能做的最糟糕的事情。其他人能够沉沦比他们能源更多的流量。工程意味着当您阅读并理解数据表时，您永远不必说你很抱歉。

通常不建议使用比较器来驱动MOS FET。比较器和运算放大器不是相同的。各种模型也具有不同的结构，内部并不总是适合于驱动MOSFET。比较器也将在开始时有尖峰，这将是一个问题。您需要为晶体管回答的问题是：
1.您需要完全启动晶体管的电压是多少。
2.您需要全新启动晶体管。
……

谢谢你分享这些。这是非常有益的，因为我仍然是一个初学者的爱好电子。除了那些复杂的公式和推导外，我不能理解大部分的线。不知道从哪里开始，像在第17页的东芝有多种选择的门电阻，我只看到电路只有一个电阻。怎么知道该选哪一个呢，我的意思是没有提到这些图片的区别?二极管的用途是什么?它们实际上在哪里使用?


所以在技术上讲，门没有与漏极或源的物理接触。它由电荷堆积物的工作原理。几个问题，那么将电容与源串联的电容器有什么问题？不要期待深入解释。它是否按时限制了转弯？就像我看到的那样，它与Arduino电路一起使用，其中电容器串联RESET引脚来自ICSP引脚。这是相同的概念吗？

所以r1是目前的限制，如果我理解r2，它将在未触发关闭时将门拉下来，避免虚假触发，是正确的吗？


至于栅极保护，我读到他们不是很擅长它时，MOSFET在低侧切换超级电容。这是真的吗?

嗨,西班牙,
查看对电路的这些更改。
注意您的V1具有零输出阻抗，因此Hystersis如何工作。
E

更新：
使v1 = 1.85V

我想我可能没说清楚我要找的是什么。我希望v1小于1。5时vo高2。5时vo低。基本上1。5v是电容的电压，它在1。5开始充电，在2。5停止。从你所连接的东西来看它总是很低，不管电压是多少。

这是我从这张图上了解到的情况。这样可以吗?将这司机没事吧?

我认为你不欣赏LT1716的输出结构。为什么你有一个额外的电容从输出到GND。你开这扇门已经够麻烦的了——为什么还要再增加麻烦呢。请下载LT1716的数据表，并告诉我它说的输出到源电流到负载的能力。

仍然在学习爵士……如果有，我就不会在这里了

所以在5v时，它可以驱动110uA的负载。不知道人们会不会这么解读。我只是使用了在模拟中可用的opamp。我愿意听取关于更便宜但兼容的手机的建议。

用MOSFET驱动器校正的原理图

你好，
这是＃13电路的LTS布局。
这将如何给出您需要的结果。
我也通知vo的泥水升起和下降。
c8 100nF帽的用途是什么??
E

电容器是在文章中筛选出任何噪声。它不需要吗？

我似乎找不到这种滞后现象。如果我没有错，如果它会工作，不应该像保持在VHth (2.5v)和低不是在2.4v，但在2左右或更低。

你好，
不需要帽，它降低脉冲边缘，你需要一个干净的快速边缘时，驱动一个外部MOSFET。
查找“窗口比较器”电路，它使用两个比较器。
E
https://www.google.com/search?client=firefox-b-d&q=window+comparator+with+hysteresis

更新:
添加pdf。

你能回答这两个问题吗:你的负荷是多少?什么是触发比较器，这意味着谁将提供“2.5V”的输入?

你能回答这两个问题吗:你的负荷是多少?什么是触发比较器，这意味着谁将提供“2.5V”的输入?

比较器用于对超级电容(BCAP0310)，在2s3p配置。所以我希望向他们收费2。5。这是一个粗略的示意图。

你好，
不需要帽，它降低脉冲边缘，你需要一个干净的快速边缘时，驱动一个外部MOSFET。

谢谢你。还在学习使用它们。

查找“窗口比较器”电路，它使用两个比较器。
E
https://www.google.com/search?client=firefox-b-d&q=window+comparator+with+hysteresis

更新:
添加pdf。

在我问Noob问题时看到了这一点但没有回复。那么为什么两个opamps使用和分隔符的不同点？

比较器内置了滞后效应——对于缓慢变化的输入，这有时可能不够

我到目前为止，您始终将您的滞后从正反馈中设置为非反相输入 - 无论是信号输入还是反相

。正反馈总是使你的非反相输入?到输出的一边——就好像你用比你实际更高的幅度信号驱动运算放大器或比较器…所以——要把它移到“另一边”，你必须从输出端/取消这个“额外的输入”…

Def::
\ [V_S = V_{团体}\ \ V_ {+} = V_H = V_{衔接}\,\ V_R = V_ {REF} = V_ {-} \ \ V_O = V_{出}= \情况{V_ {CC} \ \ V_ {EE}} \]
\[v_h = v_ {+ in}\→\]
病例\ [\ {V_H = V_O - \离开({V_O-V_S} \右)·\压裂{R_H} {R_H + R_S} \ \ V_H = V_S + \离开({V_O-V_S} \右)·\压裂{R_S} {R_H + R_S}} \]
\ [V_H-V_S = \压裂{V_O + V_S + \离开({V_O-V_S} \右)·左\[{\压裂{R_S} {R_H + R_S} - \压裂{R_H} {R_H + R_S}} \右]}2-V_S = \ \ = \压裂{\离开({V_O + V_S} \右)- \离开({V_O-V_S} \右)·\压裂{R_H-R_S} {R_H + R_S}} 2-V_SδV = = \ \ [{Def离开了。正确\:\ V_S = 0} \] = \压裂{V_O-V_O·\压裂{R_H-R_S} {R_H + R_S}} 2 = V_O·\压裂{1 - \压裂{R_H-R_S} {R_H + R_S}} 2 = \ \ = V_O·\压裂{R_S} {R_H + R_S} = \δV \→\]
\ [→\ \ \ frac {\ delta v} {v_o} = \ frac {r_s} {r_h + r_s} \]
从你可以推断你的\（±\ delta v \）。滞后上下限制。。。http://tinyurl.com/s3jm4xa