你好所有的,

我是社区的新手，这个问题将是我在论坛上的第一个帖子。所以，如果我没有严格遵守任何准则，先道歉。

我设计了这个H桥和相应的PCB也被制作。我也在LTSPICE上模拟它。它有两种含有+ 12V和+ 24V电源的变化。我已经测试过它，它一直在驾驶各种直流电机。However, sometimes (randomly and sporadically on both +12V and +24V) with no load i.e no motor connected, the one side of H-bridge (both P-MOSFET and N-MOSFET) would fry out together very bad, and then those two MOSFETs are actually gone bad. I'd replace those two MOSFETs with new ones and it would start working again. Next time, randomly, other side would burn out. However, I never saw it failing or heating out whenever it starts working once and load is connected. It would work seamlessly. It randomly fries out only when no load is not connected. (Always right away when I insert +12V or +24V supply into it --> Again, randomly burns out). It would fry out right away after voltage supply is inserted if it has to otherwise it wouldn't. It never fries once the voltage is provided and circuit is stable. It would fry only randomly and immediately when +12V/+24V supply is inserted. Could this be random inrush current? Could this be mismatch of Rds? Let me re-emphasis that both the MOSFETS from one side fries out together.

请建议可能修复此解决方案的更改。任何推荐都将非常感谢!

请注意：当M1和M2为AOD4189时，上述经验发生了。我已经将p-mosfets更改为新的p-mosfets（IPD068P），匹配IRRR8726的RDS，以避免射击。我没有测试改变。我希望双重肯定我并不缺少其他东西。

你需要一些小的死时间，在底部MOSFET打开后，顶部MOSFET在同一侧关闭，和类似的顶部MOSFET打开后，底部MOSFET关闭(非重叠死时间)。
我没在你的电路里看到。

匹配的RD与射击无关，它是导致的切换时间中的重叠。

此外，1K上拉电阻可能导致MOSFET的慢接通，这增加了线性区域中的任何射流电流持续时间，导致高瞬时功耗。

如果您查看LTSPICE中的MOSFET源拍摄电流，我认为您会发现它非常高。

你是用桥的用来反转电机（以低频）吗？
如果是这样，一个避免穿透的简单方法是让每个控制输入驱动相反的晶体管(即左上角和右下角，或右上角和左下角)。
这样，只要控制信号有些死时间，就不会有任何射穿在同一侧的mosfet。

@crutschow.

首先，非常感谢您的宝贵意见。需要更清晰。

”你是用桥的用来反转电机（以低频）吗？”

是的，这是真的。我只需扭转电机，它不需要高速切换。刚刚定期改变电机方向。

我有点困惑。首先，您正在谈论切换MOSFET需要每个MOSFET的死时间。然而，当没有切换而没有负载时，MOSFET在提供电压的开始时磨碎。可能，MOSFET仅处于一个状态。当他们工作时，他们的工作非常好。如果他们炒掉，它只在刚刚提供了VSUPPLY时发生的。也许我错过了一些东西！

”你需要一些小的死时间，在底部MOSFET打开后，顶部MOSFET在同一侧关闭，和类似的顶部MOSFET打开后，底部MOSFET关闭(非重叠死时间)。”

如何实现它？因此，如果我将每个控制输入驱动到相对侧的晶体管驱动晶体管，则应完全实现。我肯定会实现这种方式。

我可以增加拉起电阻。不过我得重新考虑一些参数。我不知道如何在LTspice MOSFET源射穿电流!


附:：我是一家软件专业，电子设备中的一些背景，这是我的第一巡回电路。我是学习。

当没有切换而没有连接时，MOSFET在提供电压的开始时冻结。

当顶部MOSFET上电源时，打开，底部MOSFET关闭。
在该序列期间的任何重叠都可能导致大型射击，导致观察到的故障。

如何实现它？因此，如果我将每个控制输入驱动到相对侧的晶体管驱动晶体管，则应完全实现。我肯定会实现这种方式。

是的。
如果每个控制信号在桥的相对角上激活MOSFET而不是在同一侧。如果您在两个信号之间有一些死区时，不能通过任何拍摄。
所有的mosfet在通电时都将关闭。

下面是一个简单的概念H-Bridge的LTspice:
栅极源过电压保护齐纳和任何用于24V的操作电阻不包括在内。
我从晶体管发射器中取出了Opto输出，使MOSFET熄灭，没有输入。

请注意，您添加的电感峰抑制肖特二极管通常不需要您的应用程序，因为MOSFET本底源漏二极管将执行该功能。

在通电和控制器开始运行之前，桥的控制引脚会发生什么?
硬件需要确保mosfet关闭，直到控制器启动和运行。

@Alberthall.

微控制器控制h桥的控制引脚，并通过12V/24V直流继电器控制h桥的电源。所以，我有选择设置控制引脚在任何状态，然后接通电源h桥。我相信这是一个通过问题(我不是100%的确定，虽然)，因为当它发生时，我的继电器也坏了-这表明桥的一侧超载，破坏了两个mosfet。因此，接力坏了，也超载了，因为shot through!(仅供参考，我的电源是常规电源，不是电池)。有时，我觉得可能会有某种涌流，可能需要扼流圈或电源隔离，但只有h桥偶尔会失效。我有其他fet / bjt / igbt运行，没有任何故障，在同一板上与相同的电源供应。所以，我非常倾向于h桥的设计问题。(只是我的两分钱!)

电路中的任何其他改进/建议都将欣赏。我已将我的继电器/电源电路推出，为两个H桥提供电。

R66 / 67具有不必要的高值，并将减慢MOSFET切换，从而提高拍摄的可能性。他们多余吗？

电机多久改变一次方向?

我认为别人所说的话可能是这样的，这两个晶体管都在染色，而不是一个，但总是在一起，没有负载。

很明显当时有一股巨大的电流流过两个都设备，根据定义，它们是两个都在那个瞬间进行。

一个非常简单的初始选项是在该传导路径中插入保险丝，这将解决销毁该电路中的设备的问题。然后，您可以继续尚未安全，也许可以更换保险丝，而当您不小心连接设备没有负载，而不是漏洞的解决方案，而是一个体面的解决方法。

同样的问题是由于交换频率的增加，复杂的CMOS电路会消耗更多的功率，这就是许多设备具有低功率模式的原因，它们会在空闲时自动减少时钟频率，并且在“Limbo”区域中的总时间和总时间所花费的总时间设备既不打开或关闭）减小，因此功率被保守。

我肯定对别人比我更专家的兴趣可能是一个设计改进，这是一个有趣的问题。

我猜另一个稍好的解决方案比保险丝稍好，是在负载连接上放置低值，高功率电阻。选择合理的价值将确保始终是负载，但当电机连接电阻器中的损耗将是总功率的少量占优势。

得到一些想法的“抵抗”(我说,因为它是一个反应,感应设备)当电动机运行时,选择一个电阻器说高出10倍,然后看看是否足以防止破坏没有负载,最终可以得到一个值,不会浪费太多的权力,但仍吸引了足够的,以避免破坏。

如何在LTSPICE中使用MOSFET源拍摄电流！

运行瞬态仿真后，您只需将光标放在MOSFET的漏极端子上（或要测量到电流的任何其他部件）和左键单击。
这样就能画出电流。

我认为你的桥有一个设计问题，需要重新设计，而不是补丁。

当顶部MOSFET上电源时，打开，底部MOSFET关闭。
在该序列期间的任何重叠都可能导致大型射击，导致观察到的故障。
是的。
如果每个控制信号在桥的相对角上激活MOSFET而不是在同一侧。如果您在两个信号之间有一些死区时，不能通过任何拍摄。
所有的mosfet在通电时都将关闭。

下面是一个简单的概念H-Bridge的LTspice:
栅极源过电压保护齐纳和任何用于24V的操作电阻不包括在内。
我从晶体管发射器中取出了Opto输出，使MOSFET熄灭，没有输入。

请注意，您添加的电感峰抑制肖特二极管通常不需要您的应用程序，因为MOSFET本底源漏二极管将执行该功能。

查看附件231361

抛出第一景观我刚从快乐中跳起来，电路是多么精彩的电路，但是大胆的拼合金额使所有事情都变得不切实际 - 上肩部有不同的极性MOSFET是完全不可忽视的，只是它不存在于井中电源和井频扇区。因此，电路可以仅用于微小目标的微小物体（但成功）。

抛出第一景观我刚从快乐中跳起来，电路是多么精彩的电路，但是大胆的拼合金额使所有事情都变得不切实际 - 上肩部有不同的极性MOSFET是完全不可忽视的，只是它不存在于井中电源和井频扇区。因此，电路可以仅用于微小目标的微小物体（但成功）。

我绝对不知道这意味着什么。

我已经采取了每个人的反馈并将变化纳入如下：

1. 实施了对MOSFET的交叉控制到侧向射击问题。
2. 为更快的转换遍历增加拉起值。
3. 增加了晶体管的Rb值，以提高开关速度和电流。

我觉得这条电路存在劣势。它不能为马达制动。我们知道h桥有四种不同状态的电机。我猜它只成功了三次。如果两个控制信号都为零，电机将滑行。如果其中一个是高的，电机将在一个方向旋转。我们不能让两者都嗨起来，因为这会让整个电路着火。

下面是电路图，我也附上了LTSpice原理图供您参考。



在我发布之前寻找来自每个人的评论和反馈。

我模拟了电路，它有效，但由于R4和R14的大值，P-MOSFET导通时间非常慢。
为什么这么高?
将那些更改为10kΩ大大降低了那个时间。

我模拟了电路，它有效，但由于R4和R14的大值，P-MOSFET导通时间非常慢。
为什么这么高?
将那些更改为10kΩ大大降低了那个时间。

是的，我把它改成了10K欧姆的电阻。

因此，这里再次更新了更新的原理图，其中包含如下所要求的所有更改：

1. 高侧mosfet的交叉控制以排除射穿问题。
2. 增加加速（R3，R7，R9，R12）到10k值，以便更快地转换。
3. 降低R5和R6到100欧姆的晶体管(Q2和Q3)，以提高开关速度和电流。
4. 对于体积速度和限制栅极电流，降低R4和R14至10K进入P-FET。

如果有人建议任何其他很酷的想法来改善某些东西或添加特征（通过某种方式滑行电机），我会等一两天。否则，我将发布设计并转到PCB Fab。（PCB上的剩余电路工作正常 - 按照最后一个PCB板上测试）

1. 为更快的转换遍历增加拉起值。
2. 增加了晶体管的Rb值，以提高开关速度和电流。

嗯,没有。增加电阻会导致电流和电流的减少慢切换速度。

关于张贴的原始示意图:

你用什么用来打开+ 24V电源 - 这是如何完成的？
[编辑]我看到你在用一个继电器

您是否有用于填充大电容的预充电电阻？或者在熄灭时排出漏极电阻？
[编辑]我没有看到预充电电阻。

一旦将它们打开，就没有泄漏了FET的栅极上的电荷，直到栅极电荷被移除到栅极电荷，就没有路径。我认为你的问题是由于储存FET上的储存电荷，然后当+ 24V时，顶部P-FET接通。

继电器触点由于高浪涌至C42而被弹跳和电弧，并且触点可能磨损碳导致间歇接触，并且这导致FET的状态是不受控制的。

我从未见过使用P FET和N FET的H桥。我想它可以做到工作，但现在没有办法将所有的FET转移出来。