如果输出是CMOS输入,那么你可以添加一个大的电阻(说1meg)串联与每个输出,以最小化电池电流时,电路电源断开。我怎么做?我可以在电源关闭时使用晶体管与主电源连接到主电源,以断开来自GND的每个输出吗?
谢谢你的帮助。我会订购我需要的一切,并报告!如果输出是CMOS输入,那么你可以添加一个大的电阻(说1meg)串联与每个输出,以最小化电池电流时,电路电源断开。
或者,你可以在输出端使用一个三态缓冲器(例如CD4503),由电池供电,当电源被移除时,它会进入三态模式。
然后输出是开路的。
谢谢你的回复。我会订购我需要实施解决方案的所有内容并报告回报。我不确定使用2n7000,4051岁怎么样?
https://www.ti.com/lit/ds/symlink/cd4051b.pdf
这是一个CMOS单个8通道模拟多路复用器/多路分换器
用传动门制成。
https://en.wikipedia.org/wiki/transmission_gate.
如果您可以将电容器挂在其中8个通道引脚中的每一个。
从公共引脚询问并设置每个电容(一次一次)。
我想你仍然需要一个电池,以保持4051的通电
时间 - 我怀疑如果4051失去电力可能的保护二极管
电容器引脚上的电源和GND将放电电容器。
当时的其余部分时,4051也需要禁止模式
没有权力。这是一个问题,因为禁止行需要这样做
高度要高,以抑制4051,并保持所有传输门关闭。
一个简单的电阻器让电池4051保持开着不能作为
外部断电电路将通过电池吸收电流
电阻器。
驱动禁止线的低功率方式也需要CMOS逆变器
关于电池电量。然后,逆变器输入可以在无论如何都会低落
驾驶它被断电,没有播电池路径泄漏。
对于16位,您需要两个4051S和电容以及一些解码
逻辑挑选哪个启用。可能是CMOS“逆变器”真的
像74HC00 (4 nand)这样的东西来反转抑制线
以及4051被激活/抑制(或同时被抑制)的控制
断电)。
https://media.digikey.com/pdf/data张/在半导体上pdfs / 74hc00.pdf
使用三态缓冲区的输出,无论您使用的内存元素。CD4503建议;您将有两个未使用的缓冲区,它们有一个单独的启用。输出驱动CMOS输入。那么,在之间使用二极管吗?谢谢!
你所做的实际上与你的单一2N7000是一个1位DRAM(动态RAM)。栅极电荷泄漏,必须定期更新。我试图设计一个1位的EEPROM,最终目标是设计4x4位的EEPROM。我需要一个更大的项目,我觉得如果我使用一个商业EEPROM,我将浪费它的全部潜力。例如,如果我只使用16位,那么使用28C16就没有任何意义。我使用2N7000 MOSFET。
EEPROM不会永远保持其状态 - 只是相当长的时间(50年+)。如何设计作为真实EEPROM的内存单元格?也就是说,它可以将输出状态保持在永久下降之后。
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