大家好,

我试图设计一个1位的EEPROM，最终目标是设计4x4位的EEPROM。我需要一个更大的项目，我觉得如果我使用一个商业EEPROM，我将浪费它的全部潜力。例如，如果我只使用16位，那么使用28C16就没有任何意义。我使用2N7000 MOSFET。这些是我的设计:


出于调试目的，我的输出现在只是一个LED。设计(1)中的开关可以接正、接负、接零。当我切换到无时，输出保持最后一个状态(正或负)。但当我关掉电源，输出没有保持。

设计(2)有一个按钮，工作作为写入使能，和一个开关连接到正或负(不像(1)中的开关)。我添加了一个2N2222晶体管来驱动Write Enable，以及一个1uF电容。即使在我关闭它之后，它仍然保持输出状态，但只是在一段时间内。我还没查过，但我得说只要几分钟。

我如何设计一个工作作为一个真正的EEPROM的存储单元?即永远保持断电后的输出状态。我是新手，所以我认为我的设计充满了错误。

谢谢大家!

你不可能从那个方向到达那里……也许是一些闭锁继电器?

你不可能从那个方向到达那里……也许是一些闭锁继电器?

谢谢你的回复。我认为使用16个闭锁继电器会太笨重，也太昂贵。我试图模拟真正的eeprom内部工作的方式。显然，我不太擅长!

我试图模拟真正的eeprom内部工作的方式。

eeprom与之前的eprom非常相似。它们将电荷储存在一个浮栅上，并且是不挥发的。要做到这一点与常规mosfet，你需要使用电池或超级电容;就像达拉斯半导体(Dallas Semiconductor)为他们的一些nvrm(由电池支持的sram)所做的那样。最简单的可能是反并行CMOS逆变器。

编辑:在更正开始之前，我将澄清并说明存储元素是类似的。EEPROM使用了不同的程序/擦除方法，所以它们不需要外部编程电压。

如果你能找到他们，Xicor X2110会很好。它们是64x4的sram，每个比特都由EEPROM备份。你像使用SRAM一样使用它们，并在断电前存储它们。CMOS版本将自动恢复EEPROM内容SRAM上电。他们在一个18针的DIP。

我有一些X2210，发现它们对小的非易失性存储器很有用。

编辑:易趣上有X2210的清单，但我怀疑他们(是假冒的)，他们要价5-20美元。如果你在美国，我会卖给你一些。

eeprom与之前的eprom非常相似。它们将电荷储存在一个浮栅上，并且是不挥发的。要做到这一点与常规mosfet，你需要使用电池或超级电容;就像达拉斯半导体(Dallas Semiconductor)为他们的一些nvrm(由电池支持的sram)所做的那样。最简单的可能是反并行CMOS逆变器。

如果你能找到他们，Xicor X2110会很好。它们是64x4的sram，每个比特都由EEPROM备份。你像使用SRAM一样使用它们，并在断电前存储它们。CMOS版本将自动恢复EEPROM内容SRAM上电。他们在一个18针的DIP。

我有一些X2210，发现它们对小的非易失性存储器很有用。

编辑:易趣上有X2210的清单，但我怀疑他们(是假冒的)，他们要价5-20美元。如果你在美国，我会卖给你一些。

X2210看起来很有趣。不幸的是，我一年前从美国搬来，所以我不得不在其他地方找他们。我要付多少钱?

另一个解决方案是使用一个备份硬币电池(我需要学习如何做)和使用74170 (4x4 RAM)。我的意思是，如果我必须使用备用电池，我也可以使用IC，它能做我想要的，但它是RAM而不是EEPROM。这就是游戏卡带在80 /90年代所做的。

X2210看起来很有趣。不幸的是，我一年前从美国搬来，所以我不得不在其他地方找他们。我要付多少钱?

这个网站有66台使用过的X2210，每台3美元。
集成电路，内存。64 x 4位非易失SRAM。使用。(electronicsurplus.com)

另一个解决方案是使用一个备份硬币电池(我需要学习如何做)和使用74170 (4x4 RAM)。

TTL需要太多的电流，而且在3V以下无法保留内存。

我曾经使用过的唯一能够“永远”保持编程状态的可编程内存是一个古老的(以今天的标准来看)PROM，它是通过吹断镍铬保险丝来编程的(我警告过你这是古老的)。其他所有人，只要有足够的时间，就会忘记一些编程。

另一个解决方案是使用一个备份硬币电池(我需要学习如何做)和使用74170 (4x4 RAM)。我的意思是，如果我必须使用备用电池，我也可以使用IC，它能做我想要的，但它是RAM而不是EEPROM。这就是游戏卡带在80 /90年代所做的。

关于这一点，我是否可以将74170的Vcc和GND连接到硬币电池，其余的引脚连接到主电路?

编辑:我刚刚看到你关于TTL不保留内存到3V的回复

关于这一点，我是否可以将74170的Vcc和GND连接到硬币电池，其余的引脚连接到主电路?

不。TTL要求为4.75V-5.25V或4.5V-5.5V;这取决于供应公差。

如果你可以使用3V电池，你需要防止它在电路供电时被充电，并且电池只能为内存提供备份。

这种想法实际上是浪费时间。如果你需要少量的非易失存储器，你可以找到最便宜的芯片，使用你需要的，忽略其他的。你只是不能做所有在芯片上的分立部件。

另一个解决方案是使用一个备份的硬币单元(我需要学习如何做)

使用肖特基二极管隔离电池。

您可以使用CMOS CD4099 8位可寻址锁存器，它仅在静态状态下获取泄漏电流。
一个3V的锂硬币电池应该保持其状态基本上为电池的保质期。

使用肖特基二极管隔离电池。

您可以使用CMOS CD4099 8位可寻址锁存器，它仅在静态状态下获取泄漏电流。
一个3V的锂硬币电池应该保持其状态基本上为电池的保质期。

谢谢你的回复。如果硬币电池只供电CD4099和主电源供电其余电路，我需要肖特基二极管吗?Ie。主电源不能给CD4099供电。

我的理解是我需要肖特基来隔离电池如果电池为整个电路供电，因此，与主电源冲突。也许我错了。

对于最小的尺寸和成本，我怀疑你能打败一个6针PIC。

鲍勃

如果硬币电池只供电CD4099和主电源供电其余电路，我需要肖特基二极管吗?Ie。主电源不能给CD4099供电。

只要你考虑到硬币电池和电路其他部分的电源之间的电压差，那就没问题。
输入信号电压不能高于电池电压，除非有限制的输入电流。
一个10kΩ电阻串联与每个输入将为此工作。

此外，如果电路的其余部分从5V操作，则3V的输出信号电压可能是边际的。
一种解决方案是使用两节电池，CD4099的工作电压约为6V。

而CD4099在断电时不能有输出负载，否则会耗尽电池。

其余电路的供电电压是多少?
它可以变化吗?

那核心商店呢?
https://en.wikipedia.org/wiki/Magnetic-core_memory

而CD4099在断电时不能有输出负载，否则会耗尽电池。

怎么做呢?

其余电路的供电电压是多少?
它可以变化吗?

它是5V，我想我要做两个6V的硬币电池用一个二极管把它变成5.3V。

而CD4099在断电时不能有输出负载，否则会耗尽电池。

怎么做呢?当电源断开时，我可以使用基座连接到主电源的晶体管断开GND的每个输出吗?

其余电路的供电电压是多少?
它可以变化吗?

它是5V，我想我要做两个6V的硬币电池用一个二极管把它变成5.3V。

你的开关需要调试。

说真的，你的解决方案不是最佳的。

https://www.mouser.com/ProductDetai...y/PIC10F320T-I-OT?qs=kJ7kJBa88dGpAZtSdHbBGA==

53美分，6针SOT23(与许多SMT晶体管相同大小，128字节的Flash数据存储。
如果你不能在你的设计中想出其他三个可以替代的组件，你就没有太多的想象力。

鲍勃

53美分，6针SOT23(与许多SMT晶体管相同大小，128字节的Flash数据存储。
如果你不能在你的设计中想出其他三个可以替代的组件，你就没有太多的想象力。

你认为将地址和数据从并行转换为串行，然后再转换回来需要多少粘合逻辑?认真……