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电压比较器

Misieek

螺纹启动器

Misieek

加入3月17日,2021年
24.
大家好!

我想建立某种电压比较器,将P MOSFET晶体管打开(传导),当电压下降到阈值电压,由齐纳二极管给出。我想实现小迟滞,和快速响应。电源电压为12V。

我想到了这样的东西......但患有症状约为0.5V,这太多了,有时MOSFET加热。
1616021658969.png.
我能改进什么?:)
Misieek

螺纹启动器

Misieek

加入3月17日,2021年
24.
为什么不使用实际比较器?
嗯,我认为比较电压我必须提供比我实际衡量更高电压的比较器。这将强迫我使用升压升压转换器。这导致简单性降低,但如果没有更简单的解决方案,我会这样做。
Misieek

螺纹启动器

Misieek

加入3月17日,2021年
24.
您的电路有12V电源和15V齐纳。那个齐纳永远不会进行,所以MOSFET将永远在线。
我困惑。这个电路应该做什么?
是啊,你说得对,这很让人困惑。我想用这个电路作为汽车发电机的稳压器。当mosfet传导,电流流过转子,增加汽车安装电压到15V。当电压达到这个值时,mosfet切断电流,所以电压下降。这一过程不断发生,使汽车电压保持在15V左右。
Misieek

螺纹启动器

Misieek

加入3月17日,2021年
24.
不,您可以将输入电压分开并与较低电压进行比较。例如,两个等电阻将电压分成两半,然后比较为7.5V。

鲍勃
伟大的想法@BobTPH!我使用了LM358,它比较电压比较好。还有一件事要做。我不知道如何驱动mosfet,因为输出电压15V对IRF4905的门太大。

我可以使用齐纳二极管4V和100k电阻划分一次吗?LM358的输出电流不会是太多的输出电流吗?
Anivalkid.

Anivalkid.

加入2013年8月1日
9151年
没有迟滞设计到电路后#1。正因为如此,MOSFET没有“啪”开和关;它会经过一个过渡区,在完全关闭和完全增强(最低Rdson)之间,缓慢到足以加热。此外,由于电路是一个开环线性放大器,在FET部分导电时,Vcc有一个值,造成最大的功率损耗,并且在设计中没有任何东西可以防止电路在那个工作点停留足够长的时间,使Q?过热。一个来自Q的大值正反馈电阻?R ?会增加少量滞后,应降低Q?功耗。

AK.

ps.引用指示器只有在它们是唯一的时候才能工作。
Crutschow.

Crutschow.

2008年3月14日加入
26962年
我将为比较器使用一个稳定的参考电压,例如TL431,而不是齐纳。
15V齐纳电池的正温度约为10mV/°C,而铅酸电池的负温度系数约为-3mV/°C,或12V电池的-18mV/°C。

为了最精确的充电,您可以添加一些结二极管与TL431串联,以提供所需的-18mV/°C变化的电池充电电压与环境温度。
如果使用来自TL431的2.5V作为参考,那么两个与该参考串联的二极管(给出一个大约3.9V的参考电压)应该可以提供相当好的补偿(大约-15mv/°C)。
二极管应在电池上或附近,因此它们会看到与电池相同的温度。
Misieek

螺纹启动器

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加入3月17日,2021年
24.
我将为比较器使用一个稳定的参考电压,例如TL431,而不是齐纳。
好主意,谢谢。我将在最后一块板中使用TL431。

但现在......我做了这样的事情。它设置为15V。
1616116143284.png.
它适用于0.1V静脉内酯,这很棒,但只有1K电阻载荷。当我连接5W灯泡时,滞后开始变得更大,约为0.6V。什么是可能的原因?
Anivalkid.

Anivalkid.

加入2013年8月1日
9151年
它划分了opamp最大输出电压和Vcc之间的电压差。这使得FET在关闭状态下的FET阈值电压下方VGS。

例如:Vcc = 16v。FET最小阈值电压为- 2v或14v,而LM358最小最大输出电压为Vcc - 4v或12v。这足以唤醒FET。对于2:1的分压器,在漏极电流小于1ma的情况下,最坏情况的运放输出电压等于最坏情况的场效应晶体管阈值电压。

AK.
上次编辑:
Crutschow.

Crutschow.

2008年3月14日加入
26962年
比较器,如LM339或LM393,可以更好地工作,因为它们的输出是开路集电极,所以输出电阻可以提升电压以等于电源电压并完全关闭P-MOSFET。

Ian0.

加入了2020年8月7日
1,842
好主意,谢谢。我将在最后一块板中使用TL431。

但现在......我做了这样的事情。它设置为15V。
查看附件233111
它适用于0.1V静脉内酯,这很棒,但只有1K电阻载荷。当我连接5W灯泡时,滞后开始变得更大,约为0.6V。什么是可能的原因?
使用诸如LM4040的参考,您永远不会让齐纳足够准确。齐纳仅在5mA电流下准确,而且为1mA。参考IC将保持准确到60UA。
使用LM358要小心切换P沟道MOSFET,其输出仅保证到达VCC-2,这意味着它可能无法关闭一些低VGS(TH)MOSFET。LM393可能是具有推挽输出的更好的选择或比较器。[编辑]如@crutschow刚刚说过的话
然后从引脚7加入销5的高值电阻,以给出已知和可重复的滞后量。
上次编辑:
Misieek

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加入3月17日,2021年
24.
当我连接5W灯泡时,滞后开始变得更大,约为0.6V。
事实证明,那些中国低质量电缆有0.6V下降,只有500mA负载!随着这种纠正它很好。

就像我之前说的,我将使用TL431作为参考电压,这将是可调电位器。更重要的是,我同意你们的观点,IRL4905的Vgs从-2V到-4V,这意味着LM393会更可靠。当使用LM393时,你推荐R4 (10k??)的值是多少?

最后,我还希望在卷曲汽车时,在电压尖峰中确保MOSFET门,也可以从电压尖峰中获得LM393。我怎样才能做到这一点?一些压敏电阻,或齐纳二极管+ 20V?