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应用笔记

注:Miller箝位抑制SiC MOSFET栅极电压故障的技术

2020年9月2日通过意法半导体

碳化硅(SiC) mosfet优越的开关能力,结合这些功率器件和寄生元件的特定电气特性,需要特别注意栅极驱动电路和布局设计,以避免振铃和超调成为一个问题。

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