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UnitedSiC为电动汽车充电应用提供了新的SiC FET选项，增加了4铅开尔文装置

2019年6月24日经过加里·埃利诺夫

设计EV充电电力系统吗？USEDICER刚刚享用了一个SIC FET选项。

的到来UF3C120150K4S.标志着Underedsic的4-Leaded“FAST”设备排行的第六部分。此产品旨在提供以下几种应用：

UF3C120150K4S是1200伏碳化硅（SIC）FET，提供典型的导通电阻（R._DS（开））150mΩ，最大工作温度为175°C。SIC的高结温度也在装置的螺钉或夹紧安装中杠杆，这提供了低结壳的热阻。

与标准3引入-247相比，该设备可提供更快的切换时间和更清洁的栅极波形。

USED新型UF3C快速SIC系列的成员现在总计13个设备，可用于247-3L封装以及247-4L封装。有1200V和650V选项。

博士Bhalla博士，美国的VP Engineering，介绍了凯文连接在他的文章中的效果，“使用Kelvin连接来提高SiC FET的开关效率”。

他指出，SiC器件最好封装在像TO-247这样的封装中，这样它们产生的热量就可以被带走。但问题是，正如他接着描述的那样，“连接到to -247包的电感通常很高，这可能限制切换速度。”但是，通过使用一种叫做开尔文连接的技术，这个问题是可以控制的。

当要关闭设备时，可以通过将栅极驱动到负电压来克服这些麻烦电感的效果。这需要额外的电路。

但是，通过使用Kelvin连接来控制铅电感，设计人员可以避免这个问题。通过利用这种技术，美国的设备能够以最大的潜在开关速度运行，而无需复杂的驱动电路。这减少了对OEM市场的时间并降低了制造成本。

UF3C120150K4S是一个cascode设备。在这种安排下，SiC快速JFET与硅MOSFET共封装。这样做的优点是，MOSFET在输入电压很低的情况下就可以控制一个电压很高的JFET。

如果您想了解有关Cascode设备的更多信息，请查看我的文章美国的650V SIC FET，在5月推出。

USF3C家族的成员雇用公司描述为真实的“替换”功能。这意味着设计人员可以通过简单地更换与美国FETS的现有SI IGBT，SI FET，SIC MOSFER或SI超结设备，显着提高系统性能而无需更换栅极驱动电压。

与UF3C的UJ3C姐妹家族相同。家庭之间的变化与硬开关和软切换之间的差异相关，并描述于UnitedSiC的网站以及UJ3C和UF3C系列的选择指南。

由于今天的重点是电力电子，这个领域还有其他参与者。以下是众多选择中的两个:

SSDI的SGF46E70和SGF15E100系列Cascode器件是将GaN HEMT（高电子 - 迁移率晶体管）与低压硅MOSFET组合的共源码器件。这些设备专为要求苛刻的航空航天和防御应用而设计。
这TP65H035WS从闭流量是一个650 V器件，将高压GaN HEMT与低压硅MOSFET组合。它专为在Datacom，太阳能逆变器和伺服电机装置中提供服务，以及各种工业应用。

然而，它确实出现在美国单独提供GaN或基于SIC的Kelvin Power Fet。

你对SiC FETs有什么经验?你是在用硅做转换吗?请在下面的评论中分享你的想法。