Micron将3D NAND带到高耸的高度-176层以确切

在最近的一款公告中，Micron，其中六是全球NAND Flash行业的第六个，推出它的术语“世界上第一个176层NAND产品”领先于三星电子，该行业目前的顶级狗。根据Micron，新技术及其先进的架构代表了存储应用的“激进突破”。

“微米的176层NAND为该行业设定了一个新的酒吧，层数比我们最近的竞争对手高出40％，”Micron技术和产品的技术和产品的高级德博尔说。

一种新颖的更换门架构

随着摩尔法减缓，创新就像176层NAND设备帮助该行业跟上日益增长的数据要求很重要。该技术比早期3D NAND器件更密集，这意味着智能手机等设备可以在变得更加实惠的同时更好地存储和存储。对于云存储等广泛应用的应用来说，这也是很好的消息，这是令人难以置信的数据。

设备密集不仅是设备密集，还包含在Open NAND闪存界面（ONFI）总线上每秒1,600 Megatransfers（MT / S）的“行业最高数据传输速率”。根据Micron的说法，通过创新的电路设计和架构更改，可以实现此功能。

Micron的新型CMOS阵列技术在芯片的电路上构建了多层单元堆栈，允许更多内存挤压到更紧密的空间中，同时降低芯片尺寸。使用的图像礼貌微米

这里，微米用充电陷阱方法取代了浮栅（PDF），将其与其新颖的CMOS阵列架构相结合。根据该公司的说法，这种结构打开了更高的性能和密度的门。这种制造技术还允许微米适合所有176层进入相同的高度;它可能只适合64。

传统门NAND和替代门NAND的电容结构。使用的图像礼貌微米（PDF）

176层NAND创造了一种细胞到电池接近，Micron所说的方法是使用作为NAND储存单元的非导电层的非导电层更接近相互作用的结构，其用作NAND储存单元并捕获电荷。然后，该层围绕电池的控制栅极的内部以充当绝缘体。

30％较小，35％更快

该器件是Micron的第五代3D NAND和第二代更换门架构技术。根据micron，它是市场上最具技术上高级的NAND节点由于层数直接与技术能力相关联。

与先前几代微米3D NAND相比，Micron表示其176层NAND将读写延迟提高35％以上，应用性能大规模增加。它还被描述为比目前市场上的芯片尺寸较小30％。

Micron的176层成就将公司推出了Samsung和SK Hynix等竞争对手。图像使用礼貌微米

使用其176层NAND设备，Micron打算提供一系列存储应用，包括移动存储，车辆信息娱乐，数据中心固态驱动器（SSD）和自主系统。对于数据中心SSD应用程序，该设备具有提高的服务质量，这是数据中心SSD和其他数据密集型环境和工作负载的重要包容。

“我们正在通过广泛的产品组合部署这项技术，以带来一流的NAND，针对5G，AI，云和智能边缘的增长机会，”Micron的行政总裁和首席商务官Sumit Sadana说。该公司目前拥有大量汽车记忆市场。

竞争的潜在福音

虽然这种空间的竞争随着时间的推移，但微米的公告可以激发更多的竞争和创新在细胞堆叠技术中。

曾几何时，细胞布置在单层中。然后是三星2013年24层3D NAND Flash。垂直堆叠很快成为半导体行业标准，因为它的益处 - 即更少的细胞之间的干扰 - 被实现了。

当前NAND和替换门NAND之间的物理差异;“较高的堆栈意味着更多的存储容量，”微米解释。使用的图像礼貌微米（PDF）

在图层数量方面的最后一个主要的NAND成就是2019年6月的SK Hynix它宣布了它的128层4D NAND Flash。三星已经是计划批量生产第7代V-NAND，Q3 2021 Q3闪烁176层， 和SK Hynix规划176层4D NAND Flash在2021年的上半年。

Micron的成就在技术方面使它们保持不错。目前，大多数公司仍然是争论128层3D NAND，这将在今年4月开始生产。