NXP RF Power GaN晶体管|新产品简报

NXP RF Power GaN晶体管

NXP半导体的MRF24G300HS是300W连续波GAN晶体管，超过磁控管的效率，专为在2450MHz工作的工业，科学和医疗应用而设计。

使用先进的GaN-on-SiC工艺制造晶体管，组合GaN的高功率密度和SiC的高导热率。该装置可以以低至73％的排水效率操作，其特征在于CW，长脉冲和短脉冲应用。

输入输入与简化的输入电路匹配，而固有的高输出阻抗简化了匹配，并消除了在生产过程中手动调谐的需要。

MRF24G300HS可用于单端或推挽配置，并具有简化的栅极偏置，以进一步降低设计复杂性。

• 用于高功率密度和优异导热性的GaN-On-SiC
  • 热阻：0.52℃/ w
• 排水效率（P1DB）：73％典型
• 特征在于CW，长脉冲（几秒钟）和短脉冲应用
• 输入匹配以简化输入电路
• 高输出阻抗提供一致的输出匹配
  • 消除生产过程中的手动调谐
• 简化门偏置可降低设计复杂性

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