你好，

对不起，如果我的问题与其他帖子有关，请指出给我。

我正在尝试使用ESP32制作自己的电子负载，我将使用多个IRFP260N或IXTK90N25L2作为负载MOSFET。我的问题是

我正在使用50AMP 75 MV分流并计划使用12位DAC进行控制信号和线路的连接原理图。
正如我试图增强控制所以我想使用用于电流测量电压信号的放大器（在分流前）。

这是这个话是否正确或者我必须添加更多元素。

请注意，我的专业不是电子学

你好萨米,
欢迎来到AAC。
我猜你知道U1：1 opa将为您提供2个频率电压的增益。
E.

BTW：什么是U1 OPA类型。

谢谢，我本来打算改成39:1来得到40x，但是在附上之前忘记更新图片了。

如果您有不同的建议，我计划使用LM358或LM324请告诉我

他的，
电路上的电压电平是多少。vtest，vcc。
E.

VTEST高达150V
12 v电源电压
ESP32电源电压3.3所以控制信号

你好，
好吧,
VCNTRL信号的基本脉冲率是多少。？
E.

他的，
这是您电路的LTSPICE SIM。LM324
E.
你能看到这个问题吗？
我们可以改进操作。

第二图像有更多细节。

我计划在600Hz上检查并更新信号（每100毫秒一次）

他的，
这是您电路的LTSPICE SIM。LM324
E.
你能看到这个问题吗？
我们可以改进操作。

第二图像有更多细节。

事实上，我不确定这款话语是否应该如此差异，我们需要改进很多东西。

请您解释模拟器的结果吗？

他的，
这是您电路的LTSPICE SIM。LM324
E.
你能看到这个问题吗？
我们可以改进操作。

第二图像有更多细节。

这是否意味着控制信号的所有值的电流都是固定的?

我在想一个问题，因为我把放大的电压直接和控制信号比较，这是问题吗?

他的，
发布您的修改后的电路，我们可以用LTSPICE检查它。
E.

好的，谢谢eric，将更新电路并发布它。

你有什么需要修改的建议吗?

你好萨米,
图中右边的电路显示了电路的问题。
为了控制MOSFET从0A到50Amp的源电流，需要4v到6V的Vgate范围。

因此，使用vctrl = 0和vshunt = 0，需要〜4V的VGATE。

E.
我明天会在电路上抢揽。

太感谢了

请在此视频中查看Circuite

我得到了它的话

你好萨米,
看这个选项。
您可能必须制作一些电阻器变量，以便补偿MOSFET等的变化。
E.

非常感谢你，我需要一些时间来理解它，如果我有疑问，我可以回来吗？

他的，
问任何问题，会尽我所能回答。
我必须引起你​​的注意力在MOSFET中的散热，见图像。
E.

非常感谢您，是的，我正在拥有一个大的CPU散热器，这将是温控的，并且计划不超过75℃，否则会降低电流或停止测试。

我有一个问题如何确保LTSPICE正在考虑MOSFET的线性操作模式？随着整个操作在于MOSFET操作的线性区域。

他的，
正如您可能知道的那样，线性模式并不意味着Vg vs Id在整个控制范围内都是线性的。
看看这两张图片。
一个示出了VGATE阈值电压范围[MOSFET LTS模型的设计者选择4V]
另一个图像显示我们在LTSPICE中使用的VG曲线的一部分。

正如我所指出的那样，您必须在一些固定电阻位置使用电位计，以便平衡电路并获得您需要的性能。
MOSFET的相同类型的MOSFET可能会在数据表上显示的范围内变化。

E.