| 不要只是坐在那里！建造一些东西!! |
学习数学地分析电路需要很多研究和实践。通常，学生通过通过许多样本问题进行工作并检查他们对教科书或教师提供的那些的答案。虽然这很好，但有更好的方法。
你将通过实际学到更多信息建设和分析真实电路，让您的测试设备提供“答案”而不是书籍或其他人。对于成功的电路建设练习，请按照下列步骤操作：
当学生首次学习半导体器件时，最有可能通过在其电路中进行不正当的连接来损坏它们时，我建议他们尝试大型高瓦数（1N4001整流二极管，到-220或3个案例功率晶体管等），并使用干式电池电源电源而不是台式电源。这降低了组件损坏的可能性。
像往常一样，避免非常高，极低的电阻值，以避免由仪表“加载”（高端）引起的测量误差，并避免晶体管烧坏（在低端）。我建议在1kΩ和100kΩ之间的电阻器。
一种方法可以节省时间并减少错误的可能性是以非常简单的电路开始，逐步添加组件以在每次分析后增加其复杂性，而不是为每个实践问题构建全新电路。另一种节省的技术是在各种不同电路配置中重新使用相同的组件。这样，您不必多次衡量任何组件的值。
让电子自己给你自己的“练习问题”的答案！
这是我的经验，学生需要对电路分析变得熟练的许多实践。为此，教师通常为他们的学生提供许多实践问题来通过，并为学生提供答案来检查他们的工作。虽然这种方法使学生精通电路理论，但它无法完全教育它们。
学生不仅需要数学实践。他们还需要真实的，实践的实践建筑电路和使用测试设备。所以，我建议以下替代办法：学生应该建造他们自己的“练习问题”与真实组成部分，并尝试数学上预测各种电压和电流值。这样，数学理论“活着”，学生获得实际熟练程度，他们不会仅仅通过解决方程来获得。
以下这种实践方法的另一个原因是教学科学的方法：通过执行真实实验测试假设（在这种情况下，数学预测）的过程。学生还将制定真正的故障排除技能，因为它们偶尔会制造电路施工错误。
在他们开始之前，用你的课程花一些时间来审查建筑电路的一些“规则”。与您的学生以相同的古典方式讨论这些问题，您通常会讨论工作表的问题，而不是简单地告诉他们他们应该和不应该这样做。我从来没有停止过惊讶于学生在典型的讲座（教练独白）格式中掌握了指示！
对那些可能抱怨拥有学生构建真实电路所需的“浪费”时间的指导员，而不是仅在数学上分析理论电路：
学生参加课程的目的是什么？
如果您的学生将使用真实电路，那么他们应该随时了解真实电路。如果您的目标是教育理论物理学家，那么通过所有方式坚持抽象分析！但我们大多数人计划学生在现实世界中与我们提供的教育做某事。beplay网页版本在建立真实电路的“浪费”时间将在他们来到他们将知识应用于实际问题时支付巨大的股息。
此外，让学生构建自己的练习问题教导他们如何执行主要研究因此，使他们能够自主地继续他们的电气/电子教育。beplay网页版本
在大多数科学中，现实的实验比电路更困难且昂贵。核物理学，生物学，地质和化学教授只想让他们的学生将高级数学应用于真实的实验，没有安全危险和成本低于教科书。他们不能，但你可以。利用科学的便利性，以及让你的学生在很多真实电路上练习他们的数学！
调用偏置耗尽型IGFET的常见方法零偏见。示例电路如下所示：
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这可能看起来类似于自我偏见如JFET放大器电路所示，但它不是。零偏置仅适用于IGFET放大器电路。解释为什么这么做。
自然Q-point耗尽型IGFET发生在0伏的栅极到源极电压。这与任何一种都不同双极交界处（BJT）或者结场效应（JFET）晶体管。
随访问题：将“零”偏置与增强模式IGFET一起使用？解释为什么能或者为什么不能。
这个问题为学生提供了一个审查IGFET理论的机会，并区分耗尽模式和增强模式类型，这是一个对主题新的学生之间混淆的主题。
用于偏置增强模式IGFET的一种方法是排水反馈偏见。这里显示了一个例子：
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另一种偏置增强模式IGFET的方法是分压器技术，应该熟悉您对BJT放大器电路的理解：
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您如何认为这两个不同偏置电路的性能比较？假设它们均偏向于相同的Q点，在信号放大性能中会有任何显着差异吗？为什么或者为什么不？
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