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x - fab在其180nm BCD-on-SOI平台上增加了NVM

2019年10月18日通过加里Elinoff

健壮的NVM(非易失性内存)现在可以更容易地与功率功能共存在同一个芯片上。

X-FABs广泛实施XT018 BCD-on-SOI平台现在可容纳基于sonos的闪存和嵌入式EEPROM NVM。现在,需要高电压、高级计算功能和耐高温环境的应用程序现在可以存在于单个芯片上。这一创新将为医疗、工业和汽车市场带来新的机遇。

SONOS的。图像从X-FAB

SONOS的。图像从X-FAB

BCD-on-SOI是什么?

BCD是双极- cmos - dmos (Bipolar-CMOS-DMOS)的缩写,这是一组硅工艺,可以在同一块芯片上部署三种不同的技术。每一种技术都有自己的优点。

  • 双相的模拟
  • CMOS数字
  • 用于高电压和高功率的DMOS

采用SOI(绝缘体上的硅)衬底,可以在处理高电压和高功率DMOS任务的同一芯片上共存敏感、极低电压的数字元素。

意法半导体是BCD的发明者。图像从圣

意法半导体是BCD的发明者。从图片

填充一个需要

越来越多使用需要NVM功能的单片机的应用程序,如嵌入式闪存和EEPROM,也要求高压操作。

此外,抗ESD/EMC挑战以及在高温环境中茁壮成长的能力也是必须的。X-FAB的SONOS技术满足了这一要求,它还可以在-40°C至175°C的结温下工作,这使得该技术有可能符合汽车AEC-Q100 0级质量标准。

在坚实的基础上建造

X-FAB的新NVM解决方案实现了一个32kBytes的闪存块,以及4kbits的EEPROM,两者都能在1.8伏特下工作。尽管共享相同的外设接口,它们仍然可以独立访问,这有助于减少设备占用空间大小。这些元素都采用了X-FAB久经考验的SONOS技术,充分利用了该公司180纳米技术的强劲记录XH018大部分的过程。此外,新的解决方案只向原来的XTO18基本流程添加了四个额外的流程层。

NVM解决方案支持ECC(错误码校正),EEPROM双位校正,Flash单位校正。有一个可选的嵌入式测试接口,它允许直接访问闪存和EEPROM。因此,测试工程师可以部署X-FAB的晶圆级测试功能,以方便调试和提高产率。

汽车的迅速电气化

而大规模改编的电动力汽车必须等待一个电池能够尽快完全负责消费者现在可以完成一个油箱,和真正的自主车辆仍然是几十年,汽油动力汽车的快速电气化然而收益空间。X-FAB将自己定位于从这场虚拟的变革和创新海啸中受益。

正如X-FAB NVM解决方案产品营销经理Nando Basile所说:“在XT018平台上引入Flash功能,为我们在需要在高温下进行智能控制的汽车动力总成应用提供了明显优势。”

这还不止于此,他接着说道:“这也意味着我们处于有利的位置,可以应对开始出现在医疗和工业领域的无数机会。”