2004年,BBC报道科学家们使用激光量子“传送”实现的。文章指出,这一现象将允许量子数据存储在“明天”的电脑。
我不确定到底他们所说的“明天”,但那是15年前,我还没有看到一个广告的微控制器或内存芯片,存储数据的量子位。
同年,IBM的阿尔马登研究中心主任告诉斯坦福记者”,自旋电子学可能彻底改变电子工业,就像晶体管50年前。”
我想知道有多少电气工程师知道“自旋电子学”是什么意思。在任何情况下,如果革命存在保持很低调。
然后是钻石。在过去,我们已经讨论了一些研究人员正在争夺钻石取代硅成为权力和半导体传感器。
虽然无疑有助于锯片、抛光设备,和求婚,未来的半导体地位仍然是在理论领域。
这些例子提醒我们,许多或者大多数?工程研究项目不显著影响设计工作由专业工程师。
这并不意味着这种研究没有价值,但它确实表明,工程师想要保持他们的最新的知识和技能将会更好的阅读应用注意或新发布的数据表,而不是一份新闻稿由研究人员写的。
世行集团是一个例外吗?
术语“宽禁带半导体(银行)”指的是材料,可以作为半导体但valence-band-to-conduction-band能源缺口比硅。
这valence-band-to-conduction-band能量差距中更详细地讨论固体的能带理论在AAC教科书。
这意味着需要更多的能量反弹的电子状态,允许电流流动。
在半导体电子乐队的形象分离物质。图像从固体的能带理论的AAC教科书
更高的能源需求使世行集团材料更像绝缘体,这似乎是一个劣势。
然而,在半导体设计的背景下,世行集团材料带来重大利益通过允许设备在高温下运转,电压和频率。
不像很多其他实验室的想法,不要在工程师的工具箱,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是真正改变行业,允许设计师实现性能不可能在当我们的选择主要是硅,硅、硅。
世行集团对大功率设备和高频应用程序
最成熟的世行集团材料碳化硅;它已经广泛应用于开关设备的制造场效电晶体和晶体闸流管等。
甘有潜力作为电力设备和半导体硅在射频应用程序是一个重大的改进。
克里族介绍第一个商业碳化硅功率MOSFET和肯定这世行集团材料提供了更高的导热系数,它允许更高的电流更小的包,和更高的临界击穿,使低使用状态drain-to-source阻力。
芯片和罗姆已经发布了新的SiC场效应管和二极管,我们也看到投资从英飞凌,意法半导体和半导体,特别是汽车电源的设计。
我们之前已经讨论过了碳化硅(SiC)的利弊分析MOSFET场效应晶体管的克里族C3M0075120K。图像使用的Wolfspeed
模拟设备产生了GaN设备高频应用程序并相信这种材料将帮助设计师减少尺寸和重量,同时实现更高的效率和扩展带宽。
这张图传达了宽禁带半导体提供的高功率/高频组合。图像使用的模拟设备
前方的道路
十月初,透明度市场发表的研究宽禁带半导体市场研究报告。
他们预测22%的复合年增长率在未来八年,最强的发展发生在亚太和北美市场。
这种增长的很大一部分将由混合动力/电动汽车行业,但应用,如电源、电机驱动器和风力涡轮机也会是很重要的。
在这一点上,它看起来像世行集团半导体真的要改变,电气工程师设计电路的方式。
碳化硅和氮化镓设备越来越便宜和更广泛使用,他们提供的性能,无法实现与硅、硅锗或砷化镓。
你的想法是什么?世行集团设备的扩散将电子“革命”,或者仅仅是一个长期的章,逐步改善半导体技术?
