DrMOS-the IC驱动下一代处理器是什么?

本月早些时候,α和ω半导体(代谢)宣布了他们最新一代的DrMOS功率级设备,AOZ531xQI针对高性能PC外围设备,包括图形处理器(gpu)的单位,内存和笔记本电脑主板。

《超能宣称这些新DrMOS设备功能,65以上的连续电流与峰值电流吸引10µs 120和80为10毫秒脉冲。

α,ω半导体为插件提供了集成动力系统方案图形卡和游戏笔记本电脑。图像使用的先进的

当英特尔写了2004年DrMOS 1.0规范,目的是定义一个easily-adoptable组件包,充满了需要更高的功率密度较低的损失。从原来的修订,DrMOS已经从less-than-25-amp要求more-than-50-amp要求,从64毫米²只有25毫米²。

那么,什么是DrMOS吗?

DrMOS,发音“D-R-MOS”,英飞凌科技,本质上是一种电压调节模块(VRM)使用外部脉冲宽度调制(PWM)控制器在巴克配置。

单相AOZ53117NQI的典型应用电路,包括集成驱动电路和功率场效应晶体管与外部PWM控制器。图像使用的先进的

然而,与传统的直流-直流转换器,一个DrMOS MOSFET驱动程序直接与电力场效应晶体管芯片上集成(PDF)。按照英特尔规范,这些芯片组的包大多是固定在5毫米,5毫米在现代实现,允许VRM放置更接近负载。

DrMOS提供了一种降低PCB足迹,名义上25毫米²以及提高功率密度,减少寄生电感。图像使用的华擎科技超级合金

两个功率级的集成组件,以及接近负载,减少寄生元素和传导损失导致在多相拓扑优化效率高达95%。

DrMOS应用程序

DrMOS设备是经常发现在电脑主板,像华硕' Z490-A,声称VRM拓扑使用12 + 2 DrMOS权力阶段(场效应晶体管、电感器和电容器)。多个阶段每DrMOS意味着更少的当前设备,因此更优化的效率和热能。

“高效、健壮的权力舞台中扮演着一个关键的角色在显卡性能高性能显卡的散热片接触GPU以及权力的阶段,”Peter Cheng说电源IC市场资深营销总监。

“冷操作导致更高的峰值性能的卡片,并直接转化为一个更好的游戏体验。”

替代DrMOS

DrMOS设备提供高功率密度的industry-standardized形式因素。但是像所有的控制器类型设计,它们需要一个外部PWM信号驱动动力系统。

模拟设备提供直流-直流控制器,如LTC3860,控制多相VRM设计。的包LTC3860也是5毫米,5毫米,但需要几个额外的被动者来完成设计。

另一种选择,LTM4636,是一个模拟装置µModule 16毫米,16毫米集成电路,其中包含完整的PWM,动力总成,电感器在一个单片包装。这µModule操作输出15、30,和40效率为92%,90%,和88%,分别。

模拟设备表示,其µ用更少的外部组件模块提供高功率密度,导致一个更简单的系统设计。图像使用的模拟设备

LTM4636还可以操作在多相拓扑结构,提供160 W的功率密度1 V,但远不及整体电路。

DrMOS设计时的注意事项

作为工程师,我们有意义设计考虑考虑功率密度(PDF),如成本和复杂性。µModule单位提供易用性,都在设计和材料清单,但他们也有大笔成本相比DrMOS设计。

α,ω半导体DrMOS设备提供PC用户期望的功率密度要求现代gpu高帧速率,射线跟踪能力,和多个高分辨率屏幕。

DrMOS意味着更长寿命的多相功能组件通过传播当前跨多个阶段,要求提供更多稳定的核心电压,提高系统热耗散。

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你有实践经验与DrMOS设备吗?如果是这样的话,在这种技术在下面的评论中分享你的想法。