非易失性存储器突飞猛进，因为Arm的副产品开发了陶瓷和FeFETs
10月8日，2020年通过杰克赫兹本周，ARM宣布，它将将整个CERAM IP投资组合转移到公司Cerfe Labs的新衍生，同时在新公司担任少数民族所有权股权。
在过去的五年里，Arm研究团队一直致力于开发基于相关电子材料(CeRAM)的新型非易失性存储器。本周，该公司宣布，为了将精力集中在半导体市场，它将把所有相关的知识产权转移给一家分拆出来的子公司Cerfe Labs。
Cerfe实验室是Arm研究公司的一个附属公司。图片由Cerfe实验室
作为交易的一部分，Arm将向Cerfe实验室转让其涵盖150多个专利家族的全部CeRAM IP组合，这将成为相关CeRAM技术路线图的基础。反过来，Cerfe实验室也将致力于开发基于陶瓷和铁电晶体管(fefet)的新型非易失性存储器并获得许可。
在这篇文章中，我们将看看CeRAM和FeFET技术，以更好地理解这一新闻的含义。
陶瓷：概述
在过去的十年里，该行业一直在寻找由于其低功率和小型访问延迟，开发电阻RAM（RRAM）。在该开发过程中，研究人员已经转向使用过渡金属氧化物（TMOS），如NIO，其中“丝丝”在更高的“电铸”电压和电流中。
记忆方案涉及到这些灯丝在电极之间的连接和断开。
陶瓷技术的例子。图片由Cerfe实验室
另一方面，陶瓷是一种电阻存储器，其使用没有长丝和电铸的TMOS。该技术利用了TMOS具有不完全3D或4D原子壳的事实，该壳体涉及涉及由场或电压诱导的价变化的量子相变。
以NiO为例，写入绝缘状态需要0.6 V电压，写入导电状态需要1.2 V电压。这是一项很有前途的RRAM技术，因为它提供了高达10飞秒的读取速度和0.1 V到0.2V的读取电压，使其成为一项非常快速和低功耗的技术。
FeFETs:概述
FFET是一种类型可作为一种非易失性存储器形式的场效应晶体管。
晶体管本身与标准MOSFET非常相似的布局：它是具有栅极，漏极和源极的三端MOS装置。差异是FFET包括位于器件的栅电极和源极 - 漏极导电区域之间的铁电材料。
通过在器件的栅极上施加电场，它在铁电材料中产生了永久的电场极化。这样做的结果是，一个设备能够保持一种状态，即使断电也能保持这种状态。
FEFET半导体布局。图片由NextGenLog
它为非易失性存储器提供了一个很有前途的选择，因为它与mosfet的相似之处使其易于理解，并与许多现有的CMOS技术兼容。
Cerfe实验室的未来
将这两种技术结合起来会带来巨大的好处。从表面上看，将FeFET的不波动性和可积性与CeRAM的低功耗和低延迟相结合，提供了两者的最佳效果。
Cerfe实验室的首席执行官Eric Hennehoefer说:“CeRAM是业界最有前途的非易失性存储器，具有当今任何其他存储器技术都没有的特性. . . .Cerfe实验室团队很好地加速了作为Arm研究的一部分开始的工作，并帮助CeRAM实现其作为低成本、高性能解决方案的潜力，改善从边缘人工智能到高性能计算的系统。”
