Nexperia创造了一个新的FET类别:应用专用FET (ASFET)

随着应用将mosfet推向非传统设计，围绕这些设备的参数化测试需要与时俱进。mosfet由于其宽频带隙、高效率和快速开关能力，越来越多地基于GaN和sic。也就是说，这些晶体管需要更好的质量控制测试。

本月早些时候，Nexperia介绍了一种新的场效应晶体管（FET） - 特定于应用的FET（ASFET）-它将作为一个标准MOSFET结构，但增加了预测动态应用的能力。这些应用可能说明了快速切换、更高的功率密度和鲁棒系统。

用于直流电机控制的ASFETs可以吸收高达300 A的涌流，使其适用于高扭矩启动情况。

Nexperia预计，ASFETs将优化电池存储、电机控制、网络供电(PoE)、通信和数据密集型应用的性能。

ASFETs是什么?

当设计需要晶体管来开关和控制元件(如电流)时，工程师们就求助于mosfet。但是，当设计是为了处理要求很高的参数，如涌入电流时，会发生什么呢?

设计工程师可能需要添加外部组件来预测这个关键实例。这就是资产资产吸引人的地方:它们是为需要更智能设备的关键情况而设计的。

Nexperia公司功率MOSFET集团高级总监Chris Boyce讨论了未来半导体发展对asfet的需求:“随着设计人员不断推进性能边界，了解MOSFET在应用中的应用至关重要。在一个常规MOSFET数据表上有100多个参数，但通常只有少数是关键的每个项目。然而，随着应用程序的变化，关键参数也会发生变化。”

少数用申请专用FET的情况

有各种参数使特定于应用的FET系列不同于标准晶体管。

一个应用程序可以在数据中心中，其中重数据流量不断通过。整体系统需要保护数据和电源。工程师需要使用旨在预测故障并防止停机时间的集成电路。

ASFET可以安全操作，虽然完全可控，直到关闭，此时发生电池隔离。

Nexperia的资产据说可以在故障期间提供更强的保护。PoE的资产可以安全地消散高达30w，持续20毫秒。资产也允许热交换发生。当系统断电或需要更新时，需要无缝切换到备用系统。

通信基础设施热插拔框图。

可以使用其中ASFET的另一个参数用于预测诸如冲压电流的故障条件，可能导致电路燃尽的无法控制的能量放电。ASFET能够使用小电压来控制增加的电流以防止过热。

除了预期故障，当前尖峰或潜在的停机中断，资产可以处理重复的雪崩电流在电力感性负载中。

Nexperia的重复雪崩资产通过消除额外部件的需求来降低电路的复杂性和成本。

为了驱动机械系统中的螺线管，设计工程师通常会使用fet通过保持稳定的电流来控制开关。问题是单靠fet或低面mosfet是不够的。需要分立组件来帮助驱动螺线管以更好的性能。

合并资产将避免额外的组件，因此将简化整体设计，同时节省制造商的生产时间和成本。

FET和MOSFET仍然是一个主题

无论是用于PoE、电池存储还是感应系统，据说资产都鼓励更快、更简单、更高效的设计。然而，ASFET绝不能取代更多功能的平均场效应晶体管(FET)或MOSFET。

目前，与FET或MOSFET相比，Nexperia的ASFET覆盖的用例范围要窄得多。目前，低成本、省时的微弱信号放大方法仍然是场效应晶体管。同样，mosfet仍然是低功耗应用的首选。

但根据Boyce的说法，工程师可以期待将来看到新的ASFET家族扩大。“我们不断寻求深化对特定应用的理解，往往与客户携手合作，”他解释道。

“在使我们最好的工程师暴露在详细的应用要求下，我们正在开辟创新的新的和激动人心的可能性 - 管道上有更多的ASFET进步。”

所有图片均由Nexperia