John Bardeen-历史上最重要的工程师之一,您可能从未听说过 - 是诺贝尔奖两次授予诺贝尔奖之一,以及第一家科学家赢得了物理学的两个奖项。
Bardeen于1956年首次赢得了诺贝尔奖,与同事共享了晶体管的同事威廉·震惊和沃尔特布拉特。
贝尔实验室科学家John Bardeen,William Shockley和Walter Brattain。使用的图像礼貌诺基亚贝尔实验室
然后,他于1972年再次授予它,与利昂库珀和John Schrieffer分享,以获得超导理论- 现象,充电通过没有阻力的材料移动。
据说Bardeen的工作彻底改变了电气工程领域,为我们在几十年所见的戏剧性技术进步铺平道路,即使在今天也坐在核心。
早年生活和教育beplay网页版本
1908年5月23日出生于1908年5月23日,Bardeen是Charles Bardeen教授的儿子,他成为威斯康星大学医学院的第一个院长。它来自同一机构Bardeen于1928年获得了他的电气工程学士学位,一年后是MS。
在208年代毕业之前20年代毕业(在芝加哥举行一年后),Bardeen在麦迪逊参加了大学高中,于1923年毕业于15岁。被称为一名有天赋的学生,它已被说that he could have graduated several years earlier, but that he postponed this due to his mother’s ill health and death, among other things.
毕业后和专业成就
Bardeen最终继续为1930年至1933年至1933年间海湾研究实验室工作,该公司于匹兹堡的海湾石油公司的研究单位。他作为一种地球物理学家,用于解释磁性和引力调查的方法。然而,这项工作未能让他感兴趣,并且他最终将其落后于普林斯顿大学的数学和物理研究生课程。
Bardeen在Eugene Wigner工作,对固态物理学的问题写了他的论文。在完成此之前,他被列为哈佛大学研究员的初级研究员,他在1935年至1938年间花了三年,致力于金属导电和凝聚力的问题。他被授予他的博士学位。在1936年的数学物理中。
在战争期间,Bardeen领导了海军条例实验室的磁性矿山和鱼雷和鱼雷和鱼雷对策的群体。
电气工程的贡献
战争结束后,Bardeen加入了贝尔电话实验室的固态物理组。当时,当人们制造长途电话时,如果他们在旅程中没有放大,那么携带他们的声音的电气信号会分解并变成静态。
真空管,20世纪初的发明,通过放大,减少或阻挡电流部分地解决了该问题。虽然这些使得第一个无线电和电视机成为可能,但他们消耗了很多功率,需要时间来热身,并且会变得非常热。他们也有倾向于分解。
贝尔实验室主任Marvin Kelly认为,可以从半导体晶体构建一个新的,更便宜和更有效的放大器类型。虽然当时没有太多了解它们,但他们的兴趣性质抓住了全世界科学家的利益,包括牛津所。
发明晶体管
在贝尔实验室的William Shockley工作的同时,Bardeen是关于在沃尔特布里特与沃尔特布里特的电子传导性能的研究。具体来说,他任务了解为什么由涮锅使用硅水晶设计的放大器,不起作用。
当将两个尖晶触点施加到半导体表面时,第一组装晶体管被称为“点接触晶体管”产生的放大。使用的图像礼貌诺基亚贝尔实验室
使用他对微积分和量子力学的知识,Bardeen发现硅晶体表面处的电子可以形成电屏。他的计算证明,它是这些表面状态,使半导体变成放大器。
决心找到解决方法,团队提出并尝试了几种设计。它们报废了Shockley的初始设计,并开发了数学模型,以基于塑料,金和锗的半导体放大器提出。他们稍后会称之为晶体管。
超导理论
在20世纪50年代,牛肝酸队继续研究他在20世纪30年代开始的超导性,因为他的诺贝尔获奖的研究已经提供了为什么在接近绝对零的温度下电阻消失的电阻消失的理论解释。
这BCS超导理论(Bardeen-Cooper-Schrieffer)在1957年获得高级,成为对象的所有理论工作的基础。
1951年至1975年间伊利诺伊大学的伊利诺伊州伯巴纳 - 香槟师曾担任伊利诺伊大学电气工程和物理教授。他,库珀和谢里弗在1972年诺贝尔的物理学奖,以获得其共同开发的超导理论。
沃尔特布拉特在发现晶体管效果时,1947年的笔记本输入记录。使用的图像礼貌诺基亚贝尔实验室
Bardeen于1991年在患有心脏病的82岁时死亡。他被他的妻子,三个孩子和六个孙子幸存下来。
如今,晶体管都在每个电子设备中找到,我们依靠从我们的手机到我们的电视机,收音机,汽车,医疗设备,数据中心,火车,飞机和无数其他应用程序。此外,超导性理论为电气工程甚至核物理学中的许多持久原理。
In about 1946 or 1947 (when I was 11 or 12) I attempted to spot-weld a cats’ whisker to the galena (lead sulfide) crystal in my crystal-set receiver, using a 1.5-volt A-cell battery, inadvertently creating a galena point- contact transistor, which gave a significant gain for about 15 seconds. I was unable to repeat the experiment, and was too naive to appreciate the implications of a solid-state amplifier. It might be noted that the field-effect transistor was patented in 1925.