通过安装数据需求,三星推出了具有HKMG工艺技术的新DDR5模块,可容纳AI,ML和超级计算应用。
一天前经过Antonio Anzaldua Jr.
Micron宣布销售其犹他州芯片厂,因为它停止了与英特尔合作开发的“革命性”记忆芯片的生产。
2021年3月23日经过卢克詹姆斯
虽然DDR5通常被称为其增加的内存,加工可靠性和性能,但该DRAM的经常被忽视的功能是其安全功能 - 特别是在汽车应用中。
2021年3月2日经过Antonio Anzaldua Jr.
麻省理工学院的研究人员创建了一种称为溅射的基于算法的架构,可降低自然语言处理(NLP)系统中的注意计算和内存访问。
2021年2月16日经过Antonio Anzaldua Jr.
瑞萨最近发布了12个新的MCU,用于IOT和工业用例 - 关键焦点是其唤醒时间,以及高性能,功率低,增强的安全性。
2月4日,2021年经过杰克赫兹
Micron声称将1Z DRAM节点的玻璃天花板折断,具有新的过程,可提高内存密度为40%。
2021年1月27日经过杰克赫兹
为了跟上脱离冯·诺依曼体系结构的趋势,法国研究人员克服了记忆电阻器的非理想特性,将贝叶斯网络推向了边缘。
2021年1月23日经过杰克赫兹
2020年,许多公司发布了旗舰级低功耗设备,目标是将人工智能推向前沿。我们将回顾一下最近的一些,并看看它们是如何比较的。
2020年12月28日经过杰克赫兹
尽管发生了大流行病,但2020年对太空探索来说是具有里程碑意义的一年。每个任务在电路层面上成功的关键是抗辐射记忆装置。
2020年12月21日经过泰勒Charboneau
根据IC Insights的说法,DRAM是2020年最大的IC产品类别,销售额为652亿美元,其次是NAND的第二次以552亿美元。
2020年12月10日,经过卢克詹姆斯
模拟计算能否成为解决边缘AI硬件面临的诸多挑战的可行方案?我们采访了Mythic的首席执行官迈克·亨利,看看他们为什么这么认为。
2020年12月02日经过杰克赫兹
新的研究推出了可以在含有氮的新型易于制造的材料中切换开启和关闭之间的磁性。
2020年11月26日经过卢克詹姆斯
在公司在闪存中被描述为闪存,性能和密度的突破,Micron已经发布了世界上第一个176层3D NAND。
11月17日,2020年经过卢克詹姆斯
随着对内存计算的需求,Xilinx和Samsung已经开始创建“一个尺寸适合所有”解决方案。
2020年11月13日经过杰克赫兹
分析师预测,DDR5将在未来几年占据DRAM市场。如何校准DDR进行高峰记忆性能?
2020年11月6日经过史蒂夫asrar
设计用于AI / ML设备的内存架构可能觉得可以感到不可通过妥协,存储体积,速度和处理。新的内存计算加速器可以是有用的解决方案。
11月03日,2020年经过杰克赫兹
作为一个EE,您可能想知道DDR5如何支持极快的传输速率。其中一个因素是一种称为决策反馈均衡(DFE)的均衡技术。
2020年10月29日经过史蒂夫asrar
随着5G速度和储存需求与摩尔法结束的碰撞,芯片制造商正在转向多芯片包装,以节省空间和电力。
2020年10月26日经过史蒂夫asrar
美国芯片制造商英特尔将其部分NAND记忆芯片业务销售为SK Hynix,以90亿美元的交易将看到韩国半导体供应商成为世界第二大闪存芯片制造商。
2020年10月22日经过卢克詹姆斯
本周,Arm宣布,它将把整个CeRAM IP投资组合转移到该公司的一个新剥离出来的公司——Cerfe实验室(Cerfe Labs),同时持有新公司的少数股权。
2020年10月08经过杰克赫兹
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