Vishay TrenchFET Gen IV顶面双冷却mosfet |新产品简介

Vishay TrenchFET Gen IV顶侧双冷却mosfet

Vishay TrenchFET Gen IV顶侧双冷却mosfet是功率mosfet，用于功率转换，电机驱动，电池管理和其他应用。

mosfet采用PowerPak SO-8DC封装，在封装的顶部和底部有热垫，提供了增强的热传导性能。他们利用Vishay的TrenchFET Gen IV技术提供超低RDS(ON)值，以最小化传导损耗和功耗。

低导通损耗与低栅极电荷值和比率相辅相成，提供了低开关损耗和整体较低的优点。mosfet的额定功率可达125W，漏源击穿电压从25伏特到200伏特，为解决许多不同的应用提供了灵活性。

Vishay TrenchFET Gen IV顶部双冷却mosfet可以从负55摄氏度到正150摄氏度工作。

• SO-8DC包:
  • 顶部冷却功能提供了一个额外的热传递场所
• 低RDS(上)
  • 选择< 1 mΩ
  • 减少传导损失
• 优化的Qg, Qgd和低Qgd/Qgs比
  • 降低切换损失
• 漏源击穿电压25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V、200V
• 工作温度范围:-55°C ~ 150°C

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