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在半导体宽带隙SiC器件上|新产品简报
3月03日,2021年经过Mouser Electronics.这个新的产品简介(NPB)是视频系列的一部分,突出了新发布产品的功能,应用和技术规范。
在半导体宽带隙SIC器件上
在半导体宽的带隙碳化硅器件上提供优越的开关性能和比硅设备更高的可靠性。
在半导体碳化硅二极管和mosfet上实现更高的效率,更快的开关,增加的功率密度,更低的EMI,并减少系统尺寸和成本。该组合包括从650伏到1700伏的肖特基二极管,具有高浪涌电流容量,无反向恢复电流,以及优异的热性能。
这些二极管用于多个集成电源模块,为设计人员提供了一种紧凑,高效,可靠的选择,适用于储能系统和太阳能逆变器等应用。在碳化硅MOSFET的范围内从900伏到1200伏,并结合粗糙的操作,高速开关和低电阻。
ON提供优化以驱动碳化硅MOSFET的栅极驱动器,提供高峰输出电流和扩展正电压额定值,以最大化性能。
- 综合SIC产品组合
- 效率更高,切换更快,功率密度增加
- SiC肖特基二极管
- 650V至1700V.
- 高浪涌电流容量,无反向恢复
- 电源模块
- 在半导体SiC二极管和IGBT上使用
- 紧凑,效率高,可靠性优越
- SiC Mosfets.
- 900V到1200V.
- 坚固的操作,高速切换,电阻低
- SIC MOSFET的门驱动程序
- 针对SIC MOSFET进行了优化
- 6A峰值输出电流,延长正电压额定值
访问Mouser.com.想要查询更多的信息。
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