在制造陷入停顿、电子产品供应链关闭之际,芯片制造商和研究人员仍在努力开发更好的存储技术,以增强计算潜力。
2天前通过艾德里安·吉本斯
本周,Arm宣布,它将把整个CeRAM IP投资组合转移到该公司的一个新剥离出来的公司——Cerfe实验室(Cerfe Labs),同时持有新公司的少数股权。
2020年10月08通过杰克赫兹
如何从传统的SRAM构建快速的非易失性存储器?事实证明,你只需要一个备用电池和一些控制电路。
2020年8月21日通过史蒂夫asrar
使用PCIe协议,NVMe解决了数据速率瓶颈的问题——证明它甚至比专门为硬盘驱动器构建的SAS和SATA协议还要快。
2020年8月11日,通过史蒂夫asrar
利用范德瓦尔斯材料,南加州大学的研究人员在基于铁电隧道结的非易失性存储器方面取得了突破。
2020年7月27日,通过杰克赫兹
一个联合研究小组首次观察到铁铂薄膜中特殊的自旋晶格相互作用是如何抵消晶格热膨胀的。
2020年7月22日通过路加福音詹姆斯
什么是磁skymion ?它如何成为更节能的磁性记忆的关键?
2020年7月2日通过杰克赫兹
在本文中,我们将研究一种建议的非易失性DRAM,并将其与当前的内存技术进行比较。
2020年2月14日通过罗宾·米切尔
斯坦福大学如何在他们最新的研究计划中利用高速存储器?
2018年4月19日通过贾斯汀Kirkham
对加密货币兴趣的上升也增加了人们对快速、高容量、特别是安全数据存储的兴趣。以下是数据存储领域的一些进展。
2018年1月1日通过也许她杜波依斯
在闪存峰会上及时了解东芝在3D闪存方面的最新进展。
2017年8月08通过凯特·史密斯
检查在这个拆卸星期二的USB光盘驱动器的内部!
2017年6月13日通过罗宾·米切尔
全球对NAND闪存的需求远远超过了产量。这里有一些关于为什么和如何出现这种短缺的信息。
2017年5月9日通过也许她杜波依斯
康奈尔大学的研究人员设计了一种新的磁性材料,有可能使电子产品“绿色”100倍。这(最终)会是室温超导体的曙光吗?
2016年10月12日通过罗宾·米切尔
IBM苏黎世实验室的研究人员已经证明了在大温度波动下使用相变存储器(PCM)技术实现每单元3位存储的可行性。
2016年9月17日通过史蒂夫asrar
这是一个为计算机科学和工程专业学生购买笔记本电脑的指南。
2016年7月25日通过塞斯·谢弗
三星刚刚发布了世界上最大的硬盘——PM1633a,一个16tb的冲床,配有2.5英寸的SSD硬盘。该驱动器依赖于一个新的32GB NAND闪存芯片,该芯片由48层每单元3位的3D V-NAND组成。
2015年8月13日,通过詹妮弗·a . Diffley
英特尔和美光联手生产了25年来第一种新型内存。非易失性存储器的速度比NAND快1000倍。
2015年7月29日通过詹妮弗·a . Diffley
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