碳化硅(SIC) - 高压开关和整流的最新突破。
圣的投资组合碳化硅器件incluses STPOWER SiC MOSFETs ranging from 650 to 1700 V with the industry’s highest junction temperature rating of 200 °C for more efficient and simplified designs, and STPOWER SiC diodes ranging from 600 to 1200 V which feature negligible switching losses and 15% lower forward voltage (VF) than standard silicon diodes.
ST有超过20年的SIC体验,是通过专用产品线的该市场的领导者。ST SIC技术创新(2和下一个Gen 3)加上新电源包的完整交换机导致了许多电力系统的强产品系列。在这个网络研讨会中,St的工程专家将解释最新的SIC技术,具有应用案例研究。此外,他们的专家们很乐意在Live问答会议中与您进一步讨论。