1我想打开一个12 v(峰值1.4)电磁阀为0.1 3秒(使用trimpot设置),然后关掉它,我用555(在5 v操作,由红外传感器只作用于5 v)在单稳态模式来生成一个0.1 3 s脉冲,这是美联储直接mosfet (IRF540 -门Mosfet数据表)。它没有电磁阀连接,但是连接阀门,有时mosfet开关在正确的时间间隔,有时它会不断驱动负载。
我有附加图表和源和Mosfet的栅电压图。整个电路是由一个12 v 3 smp,我有一个散热器连接到附近的7805和测量的温度环境。


555单稳态工作模式



Mosfet是直接由555输出引线,回程/随心所欲的二极管(1 n4007)连接在阀门。


电压在流失

门(ch 2)和排水(ch 1)电压,门是零,但与漏极电压振荡。

如何使mosfet开关在正确的时间吗?

如果你告诉我们MOSFET的制造商和零件号可能会调用一个有用的响应。

如果你告诉我们MOSFET的制造商和零件号可能会调用一个有用的响应。

我有附加上面的数据表,但我给链接在这里,这是威世IRF540,数据表-https://www.vishay.com/docs/91021/91021.pdf

R7下拉电阻是把它关掉。33 k是一个很大的阻力。尝试10 k。

R7下拉电阻是把它关掉。33 k是一个很大的阻力。尝试10 k。

我曾经尝试过10 k和47 k下拉电阻,但是没有运气。现在我33 k,但是如果你想我可以把10 k,再次把波形。

从你显示到目前为止,一切都看起来好除了波形。我阅读,对漏电压的上升时间是大约60毫秒?那是永远!

和你在你的栅电压峰值,不应该有。都是同样的电路组装,地面NE555和IRF540“紧”。同时,登机门是信号短还有下水道信号。

如果你的电机有刷可以产生很多噪音。典型的解决方案是使用两个RF旁路电容器(0.01佛罗里达大学应该是一个好的开始)从每个电动机直接导致地面。有些人甚至使用第三个电容在电动机终端。大电解电容器(+ 24 v ?)电动机的电源和接地MOSFET的来源也可能是必要的。

我用555(在5 v操作,

从你显示到目前为止,一切都看起来好除了波形。我阅读,对漏电压的上升时间是大约60毫秒?那是永远!

可能他是使用5 v和缓慢的切换门有什么关系吗?mosfet不是逻辑电平。

mosfet不是逻辑电平。

真实的。
但他有问题在断开vg = 0 v,不刺激,不会影响vg (th)。

MOSFET的转弯时间太慢了至少一个数量级。
你确定没有电阻555和MOSFET门?

555年应该有一个0.1μf陶瓷帽之间的V +和地面。

尝试一个单独的Vin的5 v调节器隔离Vin电动机使用。是否仍然出现峰值。“吵”电动机可以诱导峰值回Vin电源,它出现在调节器的输入。尝试一个简单的9 v电池的监管机构和555…

这个讨论电机(s)是什么?
我只看到一个引用一个电磁阀吗?
IRL540逻辑Mosfet的版本。
Max。

从你显示到目前为止,一切都看起来好除了波形。我阅读,对漏电压的上升时间是大约60毫秒?那是永远!

是的,也许因为33 k下拉电阻栅mosfet的?我现在没有董事会,但将波形不同的下拉电阻。

和你在你的栅电压峰值,不应该有。都是同样的电路组装,地面NE555和IRF540“紧”。同时,登机门是信号短还有下水道信号。

我将呈现PCB,因为我没有一个实际的PCB的照片现在。我希望它是严格根据你定义。就是我连接smp, M运动接近mosfet。

如果你的电机有刷可以产生很多噪音。典型的解决方案是使用两个RF旁路电容器(0.01佛罗里达大学应该是一个好的开始)从每个电动机直接导致地面。有些人甚至使用第三个电容在电动机终端。大电解电容器(+ 24 v ?)电动机的电源和接地MOSFET的来源也可能是必要的。

谢谢你的投入,我将添加射频电容并让你知道结果。我有12 v smp,我已经和我的最大的电容器470超滤/ 25 v(希望这将是足够的),我把它与负载和mosfet。

你确定没有电阻555和MOSFET门?

是的,我有直接连接门555输出接脚。

555年应该有一个0.1μf陶瓷帽之间的V +和地面。

我把一个接近Vcc和接地销555。图像从底部一侧。

尝试一个单独的Vin的5 v调节器隔离Vin电动机使用。是否仍然出现峰值。“吵”电动机可以诱导峰值回Vin电源,它出现在调节器的输入。尝试一个简单的9 v电池的监管机构和555…

感谢你的回复,我将测试它。

我代替33 k下拉电阻器与10 k门。
1。与470年佛罗里达大学/ 25 v + 12 v和源之间,结果是相同的。



2。当我添加2 1 nf帽每个终端之间的阀门和地面,mosfet的频率不关闭时间减少到1在15 - 20触发器,但它依然存在。我将尝试添加两个并行。


3所示。我使用单独的smp, 5 v1a 12 v3a,还是同样的结果,有时有时mosfet会关掉它不会但跳过关掉的频率降低。

谢谢大家对有价值的输入。
现在是工作。我已经取代了MOSFET和添加了一个10 uf极冠Vcc与接地之间的传感器。我已经测试了一个多小时,工作正常。

33 k是很多阻力。

在开车快的权力Mos-Fet / / / /而不是作为一个引体向上或衰减器sub-MHz . .达MHz电路

图上的红色标志不相关的讨论。

60女士是一个很长时间放电与这种当前可用的门。我想知道,什么是你的带宽范围和调查?可能有振荡发生在断开,不能直接看到,因为频率太高了。

一个应用工程师,Ed Oxner Siliconix曾经说过,奇怪的事情会发生,因为这些(指VN88)是GHz设备。振荡的对策之一是把一个小电阻或铁氧体磁珠与门系列。

60女士是一个很长时间放电与这种当前可用的门。我想知道,什么是你的带宽范围和调查?可能有振荡发生在断开,不能直接看到,因为频率太高了。

嗨,抱歉迟到的回复。我使用的范围是Owon SDS7202 (200 mhz, 1 g / s),链接-https://www.amazon.com/SDS7202-Digital-Storage-Oscilloscope-Interface/dp/B01K8SJITM和探针Owon T5200 200 mhz、600 x / 10倍,vpk。

范围和调查可能不是问题,但是事情不加起来。MOSFET可以振荡局限在200 MHz。这是有可能的,但不太可能。

我发现我发了错误的输出特性曲线在# 17,Vdd = 15 v曲线但你NE555操作从5伏特的电流远低于预测的(错误的)。

你能做一个实验吗?

实验# 1是将一个10到15欧姆电阻串联的大门,这是一个非常简单的实验,可能会解决这个问题。


实验2号如果简单的门电阻不正确的问题是添加一对NPN-PNP免费作为缓冲。应该提高断开栅电压如果它是必要的。你已经有足够的风险门电压饱和MOSFET-you就知道一旦你试一试。顺便说一下自


插入缓冲Q1和Q2可能解决你断开的问题

如果插入缓冲使断开更好但刺激糟糕或MOSFET不会进入饱和,呆在那儿直到NE555的输出低,还会告诉我们很多,