关于电路

驱动带开漏输出的LED

W

螺纹起动器

瓦卢

2016年12月23日加入
59
你好,

我读了这两个网站的一些解决方案,使用一个开漏输出LED。

微控制器.用开漏数字输出驱动LED.电气工程堆栈交换

用开漏端口扩展器输出驱动LED(maxiintegrated.com)

我对PNP晶体管的解决方案感兴趣。两个网站都建议使用上拉电阻器来缓解泄漏电流。尽管两个网站都指出了泄漏电流的不同来源。

第一个网站,

1616337526046.png格式

"
如果Q1关闭,则不会有任何基极电流通过Q1,因此LED将保持关闭状态。Q1将有一个小的漏电流,为了避免它被Q2放大,我加了R3。只要泄漏电流小于0.7 V/15 kΩ=50µA,所有泄漏电流都将流过R3,从而确保Q2完全关闭。
"

第二个网站,

1616337566654.png



可选的1MΩ电阻器可确保晶体管Q4在端口输出高(高阻抗)时关闭,只有在Q4相对泄漏的高温下才有必要关闭。


所以我认为第一个是指漏极晶体管的漏电流,第二个是PNP晶体管的漏电流。

我的问题是为什么电阻器在这两种情况下都能工作。为什么电流仍然不流过PNP晶体管的基极?

非常感谢。
dl324型

dl324型

2015年3月30日加入
12,608
我的问题是为什么电阻器在这两种情况下都能工作。为什么电流仍然不流过PNP晶体管的基极?
因为CB结是反向偏置的。

为什么不直接用开漏输出驱动LED阴极呢?如果你需要更多的电流,你可以使用一个逻辑电平P沟道MOSFET和消除其中一个电阻。

如果是成本问题,我听到了。在通孔封装中没有廉价的P沟道mosfet。
雅科夫

雅科夫

2019年1月27日加入
2,048
帕帕布拉沃

帕帕布拉沃

2006年2月24日加入
15,302
如果基极-发射极结上的电位差小于0.7V,则流过该结的电流非常小。在每一种情况下,上拉电阻都确保基极-发射极结上的任何电位差都非常小。这是欧姆定律的结果,如果通过一个设备的电流为零或非常小,那么通过设备的电压降将为零或非常小。

在第二个例子中,有一个1MΩ的电阻器。假设有1毫微安的电流流过它。用欧姆定律计算电压降。

\(1乘以10 ^{-15}\\文本A)(1乘以10^{6}\\ω)\;=\;1乘以10^{-9}\\文本V\)

从2.5伏特中减去1毫伏得到2.499999999伏特,你可以看到变化的幅度。在宇宙万物的计划中,你不必担心你几乎无法测量的事物。你可以用第一个例子做类似的计算,找出场效应管需要消耗多少电流才能把Q2的基极从3.3V降到2.6V,晶体管将在这里开始传导。
基极电流和通过R3的电流之和将通过R2,通过1.5kΩ降低2.6伏。无情的应用欧姆定律,KCL和KVL将告诉你你需要知道什么。

还有一件事:没有任何地方规定LED的一侧必须接地。LED当然不在乎不在乎——你为什么要这么做。
W

螺纹起动器

瓦卢

2016年12月23日加入
59
因为CB结是反向偏置的。
我认为当他们谈到漏电流时,他们指的是当结反向偏置时通过的电流,就像二极管中的电流一样。因此,LED应该关闭,但由于泄漏电流被放大,LED可能会或可能不会打开。

为什么不直接用开漏输出驱动LED阴极呢?如果你需要更多的电流,你可以使用一个逻辑电平P沟道MOSFET和消除其中一个电阻。

如果是成本问题,我听到了。在通孔封装中没有廉价的P沟道mosfet。
是的,我需要晶体管,因为输出不能吸收足够的电流。这是一个个人项目,我很少使用BJT晶体管,所以这是我的理由。只是为了练习。

如果基极-发射极结上的电位差小于0.7V,则流过该结的电流非常小。在每一种情况下,上拉电阻都确保基极-发射极结上的任何电位差都非常小。这是欧姆定律的结果,如果通过一个设备的电流为零或非常小,那么通过设备的电压降将为零或非常小。

在第二个例子中,有一个1MΩ的电阻器。假设有1毫微安的电流流过它。用欧姆定律计算电压降。

\(1乘以10 ^{-15}\\文本A)(1乘以10^{6}\\ω)\;=\;1乘以10^{-9}\\文本V\)

从2.5伏特中减去1毫伏得到2.499999999伏特,你可以看到变化的幅度。在宇宙万物的计划中,你不必担心你几乎无法测量的事物。你可以用第一个例子做类似的计算,找出场效应管需要消耗多少电流才能把Q2的基极从3.3V降到2.6V,晶体管将在这里开始传导。

基极电流和通过R3的电流之和将通过R2,通过1.5kΩ降低2.6伏。无情的应用欧姆定律,KCL和KVL将告诉你你需要知道什么。

还有一件事:没有任何地方规定LED的一侧必须接地。LED当然不在乎不在乎——你为什么要这么做。
好的第二个网站,提到从PNP晶体管泄漏。所以总是有泄漏,但是EB之间的电压越大,泄漏就越大。所以我们在上拉电阻上加了一个电阻,以降低VEB电压,从而减少泄漏,但总有一些。是这样吗?

对于第一个提到MOSFET漏电的网站,我不明白上拉电阻器是如何作为电流通道而不是EB结的。因为连接EB允许一些电流通过。但我猜情况是一样的,上拉使电压保持在很高的值,所以漏电可以忽略不计。所以就像作者说的,除非电流大于0.7/(上拉电阻),否则没有问题。

好的,谢谢,我想现在我可以对这个有一个基本的了解了。
上次编辑时间:
K

保持最简单

2014年3月4日加入
4,526
更大的问题是漏电流会随着时间的推移使FET导通。场效应管有电容,通过漏电流充电。如果电压足够大,场效应管就会导通。ate需要开启多少电流?
W

螺纹起动器

瓦卢

2016年12月23日加入
59
你好保持最简单,

我只是在看如何驱动一个开漏输出的LED。我找到了这些例子,我对此很感兴趣。但我不是用场效应管,而是用LD39050,

LD39050.fm(mouser.fr)

我想用一个LED输出“功率良好”。之后,我开始研究如何使用PNP和采取什么预防措施。这最终使我找到了这两个网站,并怀疑泄漏电流。

编辑:不管怎样,这个想法很有意思,泄漏电流充电的可能性,场效应管的电容器的点,使它打开。
上次编辑时间:
K

保持最简单

2014年3月4日加入
4,526
所以,对于场效应晶体管,通常需要一个串联电阻(200欧姆是流行的)和漏电流路径来驱动简单的场效应晶体管。因为“电容器上的电压不能瞬间改变”,所以增加了电阻器。为了更快的开关时间,你需要一个驱动器,可以提供足够的电流来处理电容。它还需要吸出电荷。

你必须面对的非理想主义者。有时三个1K电阻串联起来和一个3K电阻不一样。印刷电路板上的指纹可能很重要。在地球磁场中摇摆的电线会产生电流。贴片电阻安装在它的边缘是一个不同的组成部分,而不是一个安装在它的身体。
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